怀特电子设计
1Mx32 3.3V闪存模块
特点
100访问时间， 120为150ns
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包装
• 66针， PGA类型， 1.185"广场，密封
陶瓷HIP （ 401包）
• 68引线，低廓CQFP （ G2T ） ， 4.6毫米
（ 0.180" ）的平方（ 509包）
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百万次擦除/编程
部门架构
•一个16K字节， 2 8K字节， 32K字节1和
在字节模式下连接fteen 64K字节
•行业的任何组合可以同时
删除。还支持整片擦除
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组织为1Mx32
商用，工业和军用温度
范围
3.3伏的读取和写入操作
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WF1M32B-XXX3
引导扇区代码架构（下）
低功耗CMOS ， 1.0毫安待机
嵌入式擦除和编程算法
内置式去耦电容的低噪音运行
擦除挂起/恢复
•支持或编程数据来读取数据
一个部门不被擦除
低电流消耗
典型值在5MHz ：
• 40毫安读操作工作电流
• 80毫安编程/擦除电流
重量
WF1M32B - XG2TX3 -8克典型
WF1M32B - XHX3 -13克典型
注意：对于编程的信息，请参阅闪存编程8M3应用笔记。
引脚配置WF1M32B ， XHX3
顶视图
1
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
14
A
16
A
11
A
0
A
18
I / O
0
I / O
1
I / O
2
11
22
12
RESET＃
引脚说明
I/O0-31
A0-19
数据输入/输出
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
RESET
电源
地
没有连接
23
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE ＃
A
17
WE＃
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
33
I / O
24
I / O
25
I / O
26
A
7
A
12
NC
A
13
A
8
I / O
16
I / O
17
I / O
18
34
V
CC
CS
4
#
NC
I / O
27
A
4
A
5
A
6
NC
CS
3
#
GND
I / O
19
44
45
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
1
A
2
A
3
I / O
23
I / O
22
I / O
21
56
WE＃
CS1-4#
OE ＃
RESET＃
V
CC
GND
NC
CS
2
#
GND
I / O
11
A
10
A
9
A
15
V
CC
CS
1
#
A
19
I / O
3
框图
CS1#
RESET＃
WE＃
OE ＃
A0-19
1M ×8
1M ×8
CS2#
CS3#
CS4#
1M ×8
1M ×8
I / O
20
55
66
8
8
8
8
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年3月
启5
1
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