怀特电子设计
V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作的持续时间（ 1 ）
扇区擦除时间（ 2 ）
阅读恢复时间之前写
VCC建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 4 ）
芯片擦除时间（ 3 ）
注意事项：
在t 1，典型值
WHWH1
是为7μs 。
对于T 2.典型值
WHWH2
是1秒。
芯片擦除时间3.典型值是8秒。
4.切换和数据＃投票。
WMF512K8-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， WE＃控制
符号
t
AVAV
t
ELWL
t
WLWH
t
AVWH
t
DVWH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHWL
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
WC
t
CS
t
WP
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
WPH
-60
民
60
0
40
0
40
0
40
20
最大
民
70
0
45
0
45
0
45
20
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
20
-90
最大
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
20
最大
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
美国证券交易委员会
ms
µs
美国证券交易委员会
ns
ns
美国证券交易委员会
300
15
t
VCS
t
OES
t
OEH
0
50
11
0
10
64
0
10
0
50
300
15
0
50
11
0
10
64
300
15
0
50
11
0
10
64
300
15
0
50
11
0
10
64
300
15
11
64
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 5.0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
-60
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
输出使能高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS ＃或OE ＃变化输出保持，
取其科幻RST
注意事项：
1.设计保证，但未经测试
-70
最大
民
70
60
60
35
20
20
70
70
35
20
20
0
最大
-90
民
90
90
90
35
20
20
0
最大
-120
民
120
120
120
50
30
30
0
最大
-150
民
150
150
150
55
35
35
0
最大
单位
符号
民
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
0
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年11月
启示录6
4
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