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WMS512K8-15DEI 参数 Datasheet PDF下载

WMS512K8-15DEI图片预览
型号: WMS512K8-15DEI
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内容描述: 512Kx8单片SRAM , SMD 5962-95613 [512Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-95613]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 289 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
AC特性
(V
CC
= 5.0V , GND = 0V , -55°C
T
A
< 125°C )
参数
读周期时间
地址访问时间
从地址变更输出保持
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
符号
TRC
TAA
TOH
TACS
TOE
tCLZ1
tOLZ1
tCHZ1
tOHZ1
WMS512K8-XXX
-15
15
0
15
8
2
0
8
8
2
0
最大
15
0
-17
17
最大
17
0
17
9
2
0
9
9
20
-20
最大
20
0
20
10
2
0
10
10
25
-25
最大
25
0
25
12
4
0
12
12
-35
35
最大
35
0
35
25
4
0
15
15
45
-45
最大
45
0
45
25
4
0
20
20
55
-55
最大
55
55
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
20
AC特性
(V
CC
= 5.0V , GND = 0V , -55°C
T
A
125°C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
地址保持时间
输出写入结束活动
写使能到输出中高Z
数据保持时间
符号
TWC
TCW
TAW
TDW
TWP
TAS
TAH
tOW1
tWHZ1
TDH
-15
15
13
13
8
13
2
0
2
0
最大
17
14
14
9
14
2
0
2
0
-17
最大
20
14
14
10
14
2
0
3
0
-20
最大
-25
25
15
15
10
15
2
0
4
0
最大
-35
35
25
25
20
25
2
0
4
0
最大
-45
45
35
35
25
35
2
5
5
0
最大
-55
55
50
50
25
40
2
5
5
0
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
8
9
9
10
15
20
25
1.此参数由设计保证,但未经测试。
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
V
Z
1.5V
(双极性电源供电)
典型值
V
IL
= 0, V
IH
= 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
I
OH
电流源
注意事项:
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
&放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75
Ω.
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
&放大器;我
OH
被调整,以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2004年10月
启示录10
3
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com