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WS128K32N-55G2TMEA 参数 Datasheet PDF下载

WS128K32N-55G2TMEA图片预览
型号: WS128K32N-55G2TMEA
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内容描述: 128Kx32 SRAM多芯片封装,辐射TOLLERANT [128Kx32 SRAM MULTICHIP PACKAGE, RADIATION TOLLERANT]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 6 页 / 325 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
WS128K32-XG2TXE
高级*
128Kx32 SRAM多芯片封装,辐射TOLLERANT
特点
35访问时间, 45 , 55ns
包装
• 68领先, 22.4毫米CQFP ( G2T ) , 4.57毫米( 0.180 & QUOT ; )
( 509包)
组织为128Kx32 ;用户刀豆网络可配置为
256Kx16或512Kx8
低功耗数据保持
商用,工业和军用温度
范围
5V电源
低功耗CMOS
*本产品正在开发中,是不是对外贸易资质网络编辑或特点,并须
更改或取消,恕不另行通知。
TTL兼容的输入和输出
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
重量
WS128K32 - XG2TXE - 8克典型
耐辐射对芯片外延层。
6T的存储单元提供卓越的保护
针对软错误
图1 - 引脚配置WS128K32N , XG2TXE
顶视图
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
CS
3
#
GND
CS
4
#
WE
1
#
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
V
CC
引脚说明
I / O
0-31
A
0-16
WE
1-4
#
CS
1-4
#
OE #
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源
没有连接
9 8 7 6 5 4
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
I / O
16
I / O
17
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
I / O
22
I / O
23
GND
I / O
24
I / O
25
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
I / O
30
I / O
31
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
白68引G2T CQFP网络LLS
相同的网络连接吨和功能与
JEDEC 68领先CQFJ或68 PLCC 。
但G2T有TCE和铅
检查优势CQFP的
形式。
OE #
A
0-16
框图
WE
1
CS #
1
#
WE
2
CS #
2
#
WE
3
CS #
3
#
WE
4
CS #
4
#
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
1
#
OE #
CS
2
#
NC
WE
2
#
WE
3
#
WE
4
#
NC
NC
NC
128K ×8
128K ×8
128K ×8
128K ×8
8
8
8
8
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
2000年12月
第0版
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com