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WS1M32V-17G3M 参数 Datasheet PDF下载

WS1M32V-17G3M图片预览
型号: WS1M32V-17G3M
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内容描述: 1Mx32 3.3V SRAM模块 [1Mx32 SRAM 3.3V MODULE]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 6 页 / 306 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
1Mx32 3.3V SRAM模块
特点
17的访问时间, 20日,为25ns
84铅, 28毫米CQFP , (套餐511 )
组织为512Kx32的两家银行,用户
CON连接可配置为2Mx16或4Mx8
商用,工业和军用温度
范围
TTL兼容的输入和输出
3.3V电源
低功耗CMOS
WS1M32V-XG3X
初步*
内置的去耦电容和多接地引脚
对于低噪音运行
重量 - WS1M32V - XG3X - 20克典型
*本产品正在开发中,是不是对外贸易资质网络编辑或特点,并须
更改,恕不另行通知。
引脚配置WS1M32V , XG3X
顶视图
GND
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
I / O
27
I / O
26
I / O
25
I / O
24
NC
NC
NC
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
I / O
19
I / O
18
I / O
17
I / O
16
V
CC
引脚说明
I/O0-31
A0-18
WE#1-4
CS#1-2
OE#1-4
V
CC
GND
NC
数据输入/输出
地址输入
写入启用
芯片选择
输出使
+ 3.3V电源
没有连接
11
10
9
8 7 6 5 4 3 2 1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
V
CC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
OE #
1
OE #
2
OE #
3
OE #
4
NC
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
GND
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34 35 36
37
38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
GND
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
WE#
4
WE#
3
WE#
2
WE#
1
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
V
CC
框图
OE # 1 WE# 1
OE # 2 WE# 2
OE # 3 WE# 3
OE # 4 WE# 4
CS#1
A0-18
2M
8
512K X
x 8
512K ×8
2M
8
512K X
x 8
512K ×8
2M
8
512K X
x 8
2M
512K
x 8
512K ×8
512K ×8
V
CC
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CS #
1
NC
CS #
2
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
GND
8
CS#2
I/O0-7
8
8
8
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
注: CS # 1& CS #2被用作银行选择
该WEDC 84领先G3 CQFP网络LLS相同的网络连接T和函数作为JEDEC的84引线
CQFJ或84 PLCC 。但G3拥有的传统文化表现形式和铅检测的优势
CQFP形式。
1.146"
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2001年2月
启5
1
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com