初步
CG6263AM
2MB （ 128K ×16 ）伪静态RAM
特点
•宽电压范围：
2.70V–3.30V
•存取时间： 70ns的
•超低有功功率
- 典型工作电流： 2.0毫安@ F = 1兆赫
•
•
•
•
- 典型工作电流： 13毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供了48球BGA封装
取消的时候（ CE为高或都BHE和BLE的高） 。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
，输出取消（ CE HIGH ） ：在高阻抗状态
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
该地址不能
一旦读取启动时，设备上进行切换。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE LOW ）和写使能（ WE）输入低电平。如果字节低
使能（ BLE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过
I / O
7
） ，被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE LOW）和输出使能（ OE ）低，而
强迫写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）
为低时，从存储器位置被指定的数据
地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据将出现在I / O
8
to
I / O
15
。见真值表这个数据后面的
读写模式下完整的说明
功能说明
该CG6263AM是一种高性能的CMOS伪静态
RAM组织为128K字×16位支持的
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命
®
（的MoBL ）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
可置于待机模式，功耗降低
99％以上的装置，也可以被置于待机模式
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O0 - I / O7
I / O8 〜 I / O15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
BHE
BLE
CE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
伟达半导体公司
38-XXXXX
修订后的2004年2月
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
