超前信息
CG6264AM
2MB （ 128K ×16 ）伪静态RAM
特点
•宽电压范围：
2.70V–3.30V
•存取时间： 70ns的
•超低有功功率
- 典型工作电流： 2.0毫安@ F = 1兆赫
•
•
•
•
•
- 典型工作电流： 13毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易内存扩展与CE ， CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供了48球BGA封装
99％以上的装置，也可以被置于待机模式
当取消选择（ CE高或CE
2
LOW或两者BHE和BLE
是HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）是
置于高阻抗状态时：取消（ CEHIGH
或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE高） ，这两个字节高
启用和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ）
或在写操作期间（CE低电平，CE
2
高和WE
低） 。
的地址不能被切换一次所读取的
启动时，设备上。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真值表在此背后
数据表的读写模式的完整说明
功能说明
该CG6264AM是一种高性能的CMOS伪静态
RAM组织为128K字×16位支持的
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命
®
（的MoBL ）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
可置于待机模式，功耗降低
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O0 - I / O7
I / O8 〜 I / O15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
2
CE
掉电
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
伟达半导体公司
38-XXXXX
修订后的2004年2月
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
