1021BV33
WCFS1016V1C
64K ×16静态RAM
特点
•
3.3V工作电压（ 3.0V - 3.6V ）
•
高速
—
t
AA
= 12 ns的
•
CMOS的最佳速度/功耗
•
取消时自动断电
•
高位和低位的独立控制
•
提供400万SOJ
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16.
见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
当设备被取消高阻抗状态
（ CE HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和
BLE被禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或在写入操作
化（ CE低， WE LOW ） 。
该WCFS1016V1C是400密耳宽SOJ packag-可用
ES 。
功能说明
该WCFS1016V1C是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为65,536字。该器件具有一个非盟
tomatic掉电功能，可显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
逻辑框图
数据驱动因素
销刀豆网络gurations
SOJ
顶视图
A
4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
V
SS
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
I / O
1
- I / O
8
I / O
9
- I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A5
A6
A7
OE
BHE
BLE
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
V
SS
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A8
A9
A10
A11
NC
行解码器
选购指南
WCFS1016V1C-12
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
12
150
5
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
检测放大器
修订后的2002年4月19日
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
