S1008C3E
1008C9E
WCFS1008C3E
WCFS1008C9E
128K ×8静态RAM
特点
•高速
— t
AA
- 15纳秒
• 2.0V数据保留
•自动断电时取消
• TTL兼容的输入和输出
•易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE选项
2 （ CE
2
）输入高。在8个I / O引脚的数据（I / O
0
通过
I / O
7
）将被写入的地址所指定的位置
销（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能够一（ CE
1
）和输出使能（ OE ）低，而强迫
写使能（ WE）和芯片使能两（ CE
2
）高。下
这些条件下，所述存储器单元的内容试样
田间由地址引脚会出现在I / O引脚。
八个输入/输出引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
1
高或CE
2
LOW ）时，输出被禁用（ OE高） ，或
在写操作期间（CE
1
低，CE
2
高，和WE为低电平） 。
该WCFS1008C3E是标准的300密耳范围内可用
SOJ 。该WCFS1008C9E是标准的400 MIL-提供
广SOJ 。该WCFS1008C3E和WCFS1008C9E的功能
倚重相当于在所有其他方面。
.
功能说明
该WCF1008C3E和WCFS1008C9E是高性
曼斯CMOS静态RAM组织为131,072字8
位。容易记忆膨胀被LOW有效提供
片选（ CE
1
） ，高电平有效芯片使能（ CE
2
） ，一
低电平有效输出使能（ OE ）和三态驱动器。令状
荷兰国际集团到该设备，采取芯片使能的一个实现
（ CE
1
）和写使能（WE ）输入低电平和芯片使能
逻辑框图
针
CON连接gurations
SOJ
I / O
0
输入缓冲器
顶视图
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
I / O
1
行解码器
I / O
2
检测放大器
512 x 256 x 8
ARRAY
I / O
3
I / O
4
I / O
5
CE
1
CE
2
WE
OE
COLUMN
解码器
动力
下
I / O
6
I / O
7
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
WCFS1008C3E WCFS1008C9E为15ns
15
80
10
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
修订后的2002年4月12日
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
