1*WCMA2016U4B
WCMA2016U4B
128K ×16静态RAM
特点
•高速
- 55ns和70ns的速度可用性
•低电压范围：
— 2.7V-3.3V
•超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1MHz的
•
•
•
•
- 典型工作电流： 7毫安@频率= F
最大
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
将其置于待机模式功耗降低
当取消选择（CE HIGH或两者BLE和99％以上
BHE是HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）是
置于高阻抗状态时：取消选择（E
C
HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高恩
能和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ） ，或
在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
该WCMA2016U4B是采用48球FBGA封装。
功能说明
该WCMA2016U4B是一个高性能的CMOS静态
RAM的16位组织为128K字。这些设备
采用先进的电路设计，提供超低电流活跃
租。该器件非常适合于便携式应用，如CEL-
细胞性电话。该器件还具有自动pow-
ER-下降功能，显著降低功耗
由80％时，地址不切换。该还可以装置
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
1 0
RO w去CO DER
128K ×16
RAM阵列
2048 x 1024
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
POWE ř
-
下
电路
A
16
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
