WCMB2016R4X
128K ×16静态RAM
特点
•低电压范围：
—
1.65V−1.95V
•超低有功功率
- 典型工作电流为0.5毫安F = 1兆赫
•
•
•
•
- 典型工作电流： 1.5毫安@频率= F
最大
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
和BHE是HIGH ） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
)
被放置在一个高阻抗状态时：取消选择（ CE
HIGH ） ，输出被禁止（ OE为高电平） ，这两个字节高恩
能和低字节使能禁用（ BHE ， BLE HIGH ） ，或
在写操作期间（CE低电平和WE为低电平） 。
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
16
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片恩完成
能（ CE）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能（ BHE ）低，
再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。见
在此数据表的背面的完整信息真值表
scription的读写模式。
该WCMB2016R4X是采用48球FBGA封装。
功能说明
该WCMB2016R4X是一个高性能的CMOS静态
RAM （16位）组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
该器件非常适合于便携式应用，如蜂窝
电话。该设备还具有自动断电
有99％的显著降低功耗
当地址不切换。该设备也可以放
进入待机模式，当取消（ CE为高或都BLE
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
2048 X 1024
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
CE
BHE
BLE
A
12
A
11
A
13
A
14
A
15
电源-Down
电路
A
16
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
