超前信息
WCMC1616V9X
特点
• 1T细胞， PSRAM架构
•高速： 70纳秒
•宽电压范围：
— V
CC
范围： 2.7V至3.3V
•低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
- 典型工作电流： 13毫安@频率= F
最大
•低待机功耗
•自动断电时取消
功能说明
[1]
该WCMC1616V9X是一个高性能的CMOS伪
16位组织为1M字静态RAM （ PSRAM ）的
支持异步存储器接口。该装置
功能先进的电路设计，提供超低活跃
电流。这是理想的提供更多的电池寿命
TM
（的MoBL
®
）在便携式应用中，诸如蜂窝电话。
该装置可被置于待机模式降低了功率
在使用CE取消了超过99 ％的消费
低，CE
2
高或都BHE和BLE的高。该
输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
1 5
）被放置在一个
当高阻抗状态：取消（ CE HIGH ， CE
2
低
OE被拉高HIGH） ，或写操作期间（芯片
启用和写使能WE低）。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低
99％的功耗，当地址不切换
即使当选择的芯片（芯片使能CE LOW时， CE的
2
高和两个BHE和BLE的低）。从阅读
设备由断言芯片来完成启用（ CE
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）低，而
强迫写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）
为低时，从存储器位置被指定的数据
地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据将出现在I / O
8
to
I / O
15
。见真情表中读取一个完整的描述
写模式。
1MB ×16伪静态RAM
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
RO瓦特解码器
1M ×16
RAM阵列
1T
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
CE
2
CE
POW
-
唐氏儿
电路
BHE
BLE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参阅在http赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” ： //www.cypress .COM 。
WeidaSemiconductor公司
文件编号： 38-14027牧师**
修订后的2001年8月22日
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
