超前信息
WCMC8016V9X
8MB （ 512K ×16 ）伪静态RAM
特点
•宽电压范围：
2.70V–3.30V
•存取时间： 70ns的
•超低有功功率
- 典型工作电流： 2.0毫安@ F = 1兆赫
•
•
•
•
•
- 典型工作电流： 11毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易内存扩展与CE ， CE
2
和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供了48球BGA封装
这是理想的提供更多的电池寿命
®
（的MoBL
®
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
可置于待机模式，功耗降低
当使用的CE低取消99％以上，CE等
2
高
或两者BHE和BLE的高。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
1 5
）被置于高阻抗状态时：
取消选择（ CE HIGH ， CE
2
低OE为高电平无效） ，或
在写操作期间（芯片使能和写使能WE
LOW ） 。该器件还具有自动断电功能
通过在99％显著降低功耗
当选择了芯片的地址都不切换连
（芯片使能CE为低， CE
2
高和两个BHE和BLE的
LOW ） 。从设备中读取被认定完成
芯片启用（
低CE和CE
2
HIGH ）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
如果字节低使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置将出现在I / O的
0
to
I / O
7
。如果高字节使能（ HE ）为低电平，然后从数据
B
内存将出现在I / O
8
到I / O
1 5
。见真值表
读写模式下完整的说明
功能说明
[1]
该WCMC8016V9X是一个高性能的CMOS伪
通过16位支持组织为512K字的静态RAM
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
512K ×16
RAM阵列
1T
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
POW
-
唐氏儿
电路
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参阅在http赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” ： //www.cypress .COM 。
WeidaSemiconductor公司
38-14026
修订后的2003年8月
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
