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WCMS0808U1X-NF70 参数 Datasheet PDF下载

WCMS0808U1X-NF70图片预览
型号: WCMS0808U1X-NF70
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内容描述: 32K x 8静态RAM [32K x 8 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 222 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
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S0808U1X
WCMS0808U1X
32K x 8静态RAM
特点
•低电压范围:
2.7V
3.6V
•低有功功率和备用电源
•易于内存扩展CE和OE特点
• TTL兼容的输入和输出
•自动断电时取消
• CMOS的最佳速度/功耗
deselect-时降低功率消耗了99%以上
ED 。该WCMS0808U1X在450密耳范围内可用
( 300密耳的车身宽度)窄体SOIC和TSOP 。
一个低电平有效写使能信号( WE )控制令状
存储器的荷兰国际集团/读出操作。当CE和WE输入
上的八个数据输入/输出管脚(都为低,数据I / O的
0
通过I / O
7
)写入到由寻址的存储器位置
地址本上的地址引脚(A
0
至A
14
).
读出装置通过选择装置来实现
并启用输出, CE和OE低电平有效,虽然我们
保持非活动状态还是很高的。在这些条件下, CON组
位置帐篷解决了地址上的信息
引脚上存在八个数据输入/输出管脚。
输入/输出引脚保持,除非高阻抗状态
该芯片被选择,输出被使能,和写使能
(WE)为HIGH 。
功能说明
该WCMS0808U1X是由一个高性能
CMOS静态RAM由8位, 32K字。易
存储器扩展是通过一个低有效芯片使能提供
( CE)和低电平有效输出使能( OE )和三态driv-
ERS 。这些器件具有自动断电功能,
逻辑框图
销刀豆网络gurations
SOIC
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A
4
A
3
A
2
A
1
OE
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
INPUTBUFFER
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
CE
WE
OE
A
14
A
13
A
12
A
11
A
1
A
0
行解码器
I / O
0
I / O
1
检测放大器
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
512x512
ARRA
Y
COLUMN
解码器
动力
I / O
6
I / O
7
OE
A
1
A
2
A
3
A
4
WE
V
CC
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
TSOP I
顶视图
(不按比例)
A
0
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
14
A
13
A
12