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WCSN0436V1P-100AI 参数 Datasheet PDF下载

WCSN0436V1P-100AI图片预览
型号: WCSN0436V1P-100AI
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内容描述: 128Kx36流水线SRAM与NOBL TM架构 [128Kx36 Pipelined SRAM with NoBL TM Architecture]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 285 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
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Y7C1350B
WCSN0436V1P
128Kx36流水线SRAM与NOBL ™架构
特点
•引脚兼容,功能上等同于ZBT ™
设备IDT71V546 , MT55L128L36P和MCM63Z736
•支持166 - MHz的零等待状态的总线操作
- 数据传送在每个时钟
•内部自定时输出缓冲控制,以消除
需要使用参考
•完全注册(输入和输出)的流水线
手术
•字节写能力
• 128K ×36个通用I / O架构
•单3.3V电源
•快速时钟到输出时间
- 3.5纳秒( 166 - MHz器件)
- 3.8纳秒( 150 - MHz器件)
- 4.0纳秒( 143 - MHz器件)
- 4.2纳秒( 133 - MHz器件)
- 5.0纳秒( 100 - MHz器件)
- 7.0纳秒( 80 - MHz器件)
时钟使能( CEN )引脚停业
同步自定时写
异步输出使能
JEDEC标准的100 TQFP封装
连拍能力直线或交错突发订单
低待机功耗( 17.325毫瓦最大)
功能说明
该WCSN0436V1P是3.3V , 128K 36同步用户喉─
内衬突发SRAM专为支持无限
没有真正的插入背到背读/写操作
等待状态。该WCSN0436V1P配备的AD-
vanced无总线延迟™ ( NOBL ™ )才能启用逻辑
数据传输是连续读/写操作
ferred在每个时钟周期。该功能极大地提高了
吞吐量SRAM的,特别是在需要的系统
频繁的读/写transitions.The WCSN0436V1P是
引脚/功能兼容ZBT SRAMsIDT71V546 ,
MT55L128L36P和MCM63Z736 。
所有同步输入通过输入寄存器控制
通过在时钟的上升沿。所有数据输出通过
输出寄存器的时钟的上升沿来控制。该
时钟输入的时钟使能( CEN )信号的资格,
其中,当去断言暂停操作并延长了
先前时钟周期。来自时钟最大接入延迟
上升为3.5纳秒( 166 - MHz器件) 。
写操作是由四个字节写选择控制
( BWS
[3:0]
)和写使能( WE)输入。所有的写操作CON-
管道具有片上同步自定时写电路。
三个同步芯片启用( CE
1
,CE
2
,CE
3
)和一个
异步输出使能(OE )为方便银行SE-
经文和输出三态控制。为了避免总线
争时,输出驱动器同步三态
在写过程的数据部分。
逻辑框图
CLK
D
数据在REG 。
CE Q
36
17
控制
和WRITE
逻辑
17
128Kx36
内存
ARRAY
36
36
ADV / LD
A
[16:0]
CEN
CE
1
CE2
CE3
WE
BWS
[3:0]
模式
CLK
OOUTPUT
注册
逻辑
36
DQ
[31:0]
DP
[3:0]
OE
.
选购指南
-166
最大访问时间(纳秒)
最大工作电流(mA )
最大的CMOS待机电流(mA )
.
.
-150
3.8
375
5
-143
4.0
350
5
-133
4.2
300
5
-100
5.0
250
5
-80
7.0
200
5
3.5
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400
5
文件编号: 38-05246
修订后的一月06,2002