2N5551 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N5551
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	NPN晶体管 [NPN Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 167 K
品牌：	WEITRON [ WEITRON TECHNOLOGY ]

2N5551

NPN晶体管

TO-92

1.发射器

2.基

3.收集

绝对最大额定值（TA = 25℃ ）

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

器件总耗散T

=25 C

结温

存储温度

符号

VCEO

VCBO

VEBO

TSTG

2N5551

160

180

6.0

600

0.625

150

-55到+150

单位

VDC

MADC

电气特性

特征

集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压（ IC = 100 uAdc ， IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10 uAdc ， IC = 0 ）

集电极截止电流（ VCB = 120伏， IE = 0 ）

发射极截止电流（ VEB = 4.0伏， I C = 0 ）

符号

V（ BR ） CEO

V（ BR ） CBO

V（ BR ） EBO

ICBO

IEBO

民

160

180

6.0

最大

0.05

单位

VDC

uAdc

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案