2SB1188 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1188
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内容描述：	外延平面PNP晶体管 [Epitaxial Planar PNP Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 123 K
品牌：	WEITRON [ WEITRON TECHNOLOGY ]

2SB1188

外延平面PNP晶体管

SOT-89

1.基地

2.收集

3.辐射源

绝对最大额定值（Ta = 25

)

等级

符号

范围

单位

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温，存储温度

*单脉冲Pw = 100毫秒

VCBO

VCEO

VEBO

ICP

T J ， TSTG

-40

-32

-5

-2

-3

0.5

150 ， -55至+150

VDC

A（ DC ）

A（脉冲） *

电气特性（ TA = 25

除非另有说明）

参数

符号

集电极 - 基极击穿电压（ IC = -50uA ）

集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -1mA ）

发射极 - 基极击穿电压（I

=-50uA)

集电极截止电流（V

=-20)

发射极截止电流（V

=-4V)

CBO

首席执行官

EBO

ICBO

IEBO

民

典型值

最大

单位

-40

-32

-5

-1

WEITRON

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