欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SD880 参数 Datasheet PDF下载

2SD880图片预览
型号: 2SD880
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅外延功率晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 518 K
品牌: WEITRON [ WEITRON TECHNOLOGY ]
 浏览型号2SD880的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD880的Datasheet PDF文件第3页  
2SD880
NPN硅外延功率晶体管
P B
铅(Pb ) - 免费
集热器
2
BASE
1
1
2
产品特点:
·低频功率放大器
*补到2SB834
3
3
辐射源
1.基地
2.收集
3.辐射源
TO-220
最大额定值
(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
60
60
7
3
1.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (SAT)
V
BE
f
T
C
ob
t
on
t
s
t
f
I
B1
=-I
B2
= 0.2A ,我
C
=2A
V
CC
= 30V , PW = 20μs的
TEST
条件
60
60
7
100
100
60
300
1
1
3
70
0.8
1.5
0.8
V
V
兆赫
pF
µs
µs
µs
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 7V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=500mA
I
C
= 3A ,我
B
=300mA
I
C
= 0.5A ,V
CE
= 5V
V
CE
= 5 V,I
C
=500mA
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
分类h及
FE
范围
O
60-120
Y
100-200
GR
150-300
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1/3
02-Feb-07