BC556 BC559 ...
BC556 BC559 ...
PNP
版本2006-05-31
功耗 - Verlustleistung
CBE
通用硅外延PlanarTransistors
硅外延平面- Transistoren献给universellen Einsatz
PNP
500毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
塑料外壳
Kunststoffgehäuse
重量约。 - Gewicht约
18
9
16
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehäusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
2 x 2.54
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值（T
A
= 25°C)
BC556
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
峰值发射极电流 - 发射极Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
特性（T
j
= 25°C)
A组
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhältnis
2
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 µA
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100毫安
小信号电流增益
Kleinsignal - Stromverstärkung
输入阻抗 - Eingangs - Impedanz
输出导纳 - Ausgangs - Leitwert
反向电压传输比
Spannungsrückwirkung
h
FE
h
FE
h
FE
（典型值） 。 90
110 ... 220
（典型值） 。 120
E- B的短
B开
ê开放
c打开
- V
CES
- V
首席执行官
- V
CBO
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
I
EM
T
j
T
S
80 V
65 V
80 V
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
BC557
50 V
45 V
50 V
5V
500毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
200毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
Kennwerte （T
j
= 25°C)
B组
（典型值） 。 150
200 ... 450
（典型值） 。 200
C组
（典型值） 。 270
420 ... 800
（典型值） 。 400
BC558/559
30 V
30 V
30 V
H-参数为/贝 - V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安， F = 1千赫
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
（典型值） 。 220
1.6 ... 4.5 kΩ
18 < 30 μS
（典型值） 。 1.5 * 10-4
（典型值） 。 330
3.2 ...8.5 kΩ
30 < 60 μS
（典型值） 。 2 * 10-4
（典型值） 。 600
6 ... 15 kΩ
60 < 110 μS
（典型值） 。 3 * 10-4
1
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig德恩死Anschlussdrähte在2毫米Abstand VOM Gehäuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
©德欧泰克半导体公司
1
WEITRON [ WEITRON TECHNOLOGY ]
