BC856A/B-BC857A/B/C
BC858A/B/C-BC859B/C
通用晶体管
PNP硅
集热器
3
3
1
2
SOT-23
标记图
3
1
BASE
2
辐射源
1
XX =设备
码（见
2
见下表）
最大额定值
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
BC856
BC857
BC858,BC859
BC856
BC857
BC858,BC859
符号
VCEO
价值
-65
-45
-30
-80
-50
-30
-5.0
-100
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
V
集电极 - 基极电压
VCBO
VEBO
IC
符号
PD
R
θ
JA
PD
R
θ
JA
TJ ， TSTG
V
V
MADC
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
（注1 ）T
A
=25 C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板， （注2 ）T
A
=25 C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结贮藏，温度
1.FR -5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸2.Alumina = 0.4× 0.3 X 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
电气特性
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -10mA ）
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -10 μA ， VEB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
=-10 µA)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
=-1.0 µA)
(T
A
= 25°C除非另有说明）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
BC856系列
BC857系列
BC858 ， BC859系列
V
（ BR ） CEO
-65
-45
-30
-80
-50
-30
-80
-50
-30
-5.0
-5.0
-5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-15
-4.0
V
V
（ BR ） CES
V
V
（ BR ） CBO
V
V
（ BR ） EBO
V
集电极截止电流（V
CB
=-30V)
（ VCB = -30V ， TA = 150℃ ）
I
CBO
nA
m
A
WEITRON
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REV A 12 -APR- 05
WEITRON [ WEITRON TECHNOLOGY ]
