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DTC115EE 参数 Datasheet PDF下载

DTC115EE图片预览
型号: DTC115EE
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内容描述: 偏置电阻晶体管NPN硅 [Bias Resistor Transistor NPN Silicon]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 13 页 / 421 K
品牌: WEITRON [ WEITRON TECHNOLOGY ]
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DTC114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ,我
C
=5.0mA
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明)
WEITRON
符号
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安,我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安,我
E
=5.0mA
DTC123EE
I
C
= 10毫安,我
E
=1.0mA
DTC114TE / DTC143TE
DTC143ZE / DTC124XE
DTC143EE
输出电压(上)
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V ř
L
=1.0KΩ
DTC114EE
DTC124EE
DTC144EE
DTC114YE
DTC114TE
DTC143TE
DTC123EE
DTC143EE
DTC143ZE
DTC124XE
DTC123JE
DTC115EE
DTC144WE
V
CE ( SAT )
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V ř
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V ř
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V ř
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试:脉冲宽度< 300US ,占空比< 2.0 %
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
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12-Jun-06