IRF640 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF640
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-Channel Enhancement Mode POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 1067 K
品牌：	WEITRON [ WEITRON TECHNOLOGY ]

IRF640

N沟道增强

MODE POWER MOSFET

P B

铅（Pb ） - 免费

漏电流

漏

18安培

漏源电压

200电压

1门

产品特点：

*超级高密度电池设计低R

DS （ ON）

<0.18Ω@V

=10V

单脉冲雪崩能量额定

SOA是功耗有限公司

纳秒的开关速度

线性传输特性

高输入阻抗

来源

1.门

2.漏

3.源

TO-220AB

最大额定值

= 25℃ ，除非另有规定）

等级

漏源电压

栅源电压

连续漏电流，（V

@ 10V ，T

=25˚C)

, (V

@ 10V ，T

=100˚C)

漏电流脉冲

总功率耗散（T

=25˚C)

热阻结案件

热阻结到环境

工作结温范围

存储温度范围

符号

θJC

θJA

TSTG

价值

200

±20

125

+150

- 55~+150

° C / W

˚C

单位

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

1/6

04-Nov-08

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案