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AO4354 参数 Datasheet PDF下载

AO4354图片预览
型号: AO4354
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内容描述: 30V N通道AlphaMOS [30V N-Channel AlphaMOS]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 2192 K
品牌: WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]
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AO4354
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS ,
I
D
=250µA
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.2
1.8
3
4.1
4.1
105
0.7
1
4
2010
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
0.9
898
124
1.8
36
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=20A
17
6
8
7.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=0.75Ω,
R
=3Ω
I
F
= 20A ,的di / dt = 500A / μs的
4.0
37.0
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
1
5
100
2.2
3.7
5
5.3
µA
nA
V
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2.7
49
23
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
t
f
t
rr
Q
rr
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ,的di / dt = 500A / μs的
7.5
14
20.3
ns
ns
nC
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150℃。额定值基于低频和占空比,以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
2盎司铜,假设T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
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REV0 : 2012年4月
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