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AO4425 参数 Datasheet PDF下载

AO4425图片预览
型号: AO4425
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内容描述: 38V P沟道MOSFET [38V P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 1698 K
品牌: WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]
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万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
AO4425
38V P沟道MOSFET
概述
该AO4425采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和超低低栅极
充电用25V的栅极评级。此装置适用于
用作负载开关或PWM应用。这是
ESD保护。
产品概述
V
DS
(V) = -38V
I
D
= -14A (V
GS
= -20V)
R
DS ( ON)
<为10mΩ (V
GS
= -20V)
R
DS ( ON)
< 11MΩ (V
GS
= -10V)
ESD额定值: 4000V HBM
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
底部视图
D
G
G
S
S
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
最大
-38
±25
-14
-11
-50
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
栅源电压
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
功耗
A
B
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
26
50
14
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com