AO4446 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4446
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 1703 K
品牌：	WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]

万和兴电子有限公司www.whxpcb.com

AO4446

30V N沟道MOSFET

概述

该AO4446采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和低

栅极电阻。此装置非常适合于使用

在PWM应用。

产品概述

(V) = 30V

= 15A （V

= 10V)

DS （ ON）

< 8.5mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 14.5mΩ （V

= 4.5V)

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

SOIC-8

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

最大

±20

2.1

-55到150

单位

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

重复雪崩能量L = 0.1mH

=25°

功耗

=70°

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

=25°

=70°

, T

英镑

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案