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AO4447A 参数 Datasheet PDF下载

AO4447A图片预览
型号: AO4447A
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内容描述: 30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 2185 K
品牌: WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]
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万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
AO4447A
30V P沟道MOSFET
概述
•在AO4447A采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
低门charge.This
器件理想用于负载开关和电池保护
应用程序。
•符合RoHS和无卤素标准
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= -4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= -4V)
ESD保护
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
-30V
-17A
< 7米
< 8米
< 9米
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
G
G
S
S
S
底部视图
D
Rg
S
绝对最大额定值牛逼
J
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
最大
-30
±20
-17
-13
-160
3.1
2.0
-55到150
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
V
V
A
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
C
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
W
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
结温和存储温度范围
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
AD
最大结对铅
t
10s
稳定状态
稳定状态
R
θJA
R
θJL
Rev.2.0 : 2013年6月
www.aosmd.com
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