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AO4453 参数 Datasheet PDF下载

AO4453图片预览
型号: AO4453
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内容描述: 12V P沟道MOSFET [12V P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 2591 K
品牌: WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]
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万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
AO4453
12V P沟道MOSFET
概述
该AO4453结合了先进的沟槽MOSFET
技术具有低电阻包提供
非常低R
DS ( ON)
。该器件非常适用于负荷开关
和电池保护的应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-3.3V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-2.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-1.8V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-1.5V)
100 % UIS测试
100% R
g
经过测试
-12V
-9A
< 19MΩ
< 22MΩ
< 26mΩ
< 36mΩ
< 50mΩ以下
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
底部视图
D
G
G
S
S
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
最大
-12
单位
V
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
±8
-9
-7
-55
20
20
2.5
1.6
-55到150
V
A
A
mJ
W
°
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
A
=25°
C
功耗
B
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
42
70
20
最大
50
85
30
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
冯0 : 2012年10月
www.aosmd.com
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