AO4488 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4488
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内容描述：	30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 2099 K
品牌：	WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]

万和兴电子有限公司www.whxpcb.com

AO4488

30V N沟道MOSFET

概述

该AO4488采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

低栅极电荷。

此设备的ESD保护，并且它适合于

使用作为负载开关或PWM应用。

产品概述

(V) = 30V

= 20A

= 10V)

DS （ ON）

< 4.6米（V

= 10V)

DS （ ON）

< 6.4米（V

= 4.5V)

ESD保护

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

SOIC-8

顶视图

底部视图

Pin1

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

10秒

符号

漏源电压

稳定状态

±20

375

单位

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

=25°

=70°

, T

英镑

3.1

2.0

重复雪崩能量L = 0.3mH

=25°

功耗

=70°

1.7

1.1

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

-55到150

符号

≤

10s

稳定状态

θJA

θJL

典型值

最大

单位

C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

www.aosmd.com

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