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AO4490 参数 Datasheet PDF下载

AO4490图片预览
型号: AO4490
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 2483 K
品牌: WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]
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万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
AO4490
30V N沟道MOSFET
概述
该AO4490采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至4.5V ,而
保留了20V V
GS ( MAX)
投资评级。这是ESD保护。
此装置适合于用作负载开关和
一般用途的应用。
产品概述
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 16A
(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 7.2mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
<为10mΩ (V
GS
= 4.5V)
ESD保护
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
底部视图
D
G
G
S
S
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
最大
30
±20
16
13
120
30
135
2.8
1.8
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
栅源电压
连续漏极
AF
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
G
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
A
=25°
C
功耗
T
A
=70°
C
G
B
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
32
62
18
最大
45
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com