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1N4448WS 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 1N4448WS
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内容描述: SOD- 323塑封装二极管 [SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 3 页 / 454 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOD- 323塑封装二极管
特点
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
快速开关二极管
包装外形
特点
工艺设计,出色的功耗报价
批量
更好的反
速度
快速开关
漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
表面贴装型封装非常适合自动插入
优化电路板空间。
通用开关应用
低功耗,高效率。
高电流能力,低正向电压降。
高电导
高浪涌能力。
无铅封装可用
Guardring过电压保护。
超高速开关。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
无铅零件符合环保标准
湿度敏感度等级1
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
极性:
颜色频带端为负极
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
THRU
1N4448WS
FM1200-M
无铅产品
SOD-323
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
标记: T5
机械数据
最大额定值和电气特性,单二极管@ TA = 25 ℃
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
0.031 ( 0.8 )典型值。
参数
终端,每MIL -STD -750焊接的,
符号
极限
端子:镀
非重复性峰值
反向电压
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
单位
V
极性:由阴极频带指示
峰值重复峰值
反向电压
安装位置:任意
工作峰值
反向电压
重量:的逼近0.011克
阻断电压DC
RMS反向电压
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
100
尺寸以英寸(毫米)
75
V
最大额定值和电气特性
53
500
250
4.0
15
50
1.5
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,
当前
I
FM
正向连续
60Hz的,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
V
mA
mA
平均整流输出电流
评级
PEAK
正向浪涌电流
@t=1.0μs
标识代码
最大的经常峰值反向电压
@t = 1.0S
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
 
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
I
O
V
RRM
V
RMS
V
DC
O
R
I
θJA
I
FSM
Pd
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
A
115
150
105
150
120
200
140
200
VOL
功耗
200
50
35
mW
VOL
VOL
热阻结到
环境
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
存储
温度
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
典型热阻(注2 )
T
英镑
R
θJA
C
J
T
J
 
I
FSM
625
-55~+150
℃/W
Am
 
Am
 
 
电气额定值@ TA = 25 ℃
典型结电容(注1 )
工作温度范围
 
-55到+125
 
-55到+150
℃/W
PF
 
最大
75
单位
V
参数
存储温度范围
符号
TSTG
V
( BR )
V
V
F1
F
@T A = 125 ℃
典型值
-
65
到+175
条件
 
反向
击穿电压
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
I
R
=10μA
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
0.62
0.50
0.72
0.70
V
I
R
V
F2
0.855
1.0
1.25
2.5
25
4
4
V
V
V
μA
nA
pF
ns
0.5
10
0.85
I
F
=5mA
0.9
0.92
 
VOL
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=20V
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
MAM
正向电压
注意事项:
2-热阻结点到环境
V
F3
V
F4
I
R1
I
R2
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
 
反向电流
终端之间的电容
反向
恢复时间
C
T
t
rr
2012-06
威伦电子股份有限公司。
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
2012-1
威伦电子股份有限公司。