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1N5248B 参数 Datasheet PDF下载

1N5248B图片预览
型号: 1N5248B
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内容描述: 硅Z-二极管 [Silicon Z–Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 3 页 / 380 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
500毫瓦齐纳二极管
额定齐纳电压
产品型号
NOM 。 V
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
47.0
51.0
56.0
60.0
62.0
68.0
75.0
1N5221B THRU 1N5267B
马克斯。齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
Z
ZK
@ I
ZK
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
μA
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TK
V
Z
V
Z
@ I
ZT
分钟。 V
44.65
48.45
53.20
57.00
58.90
64.60
71.25
记号
CODE
最大。 V
49.35
53.55
58.80
63.00
65.10
71.40
78.75
150
125
150
170
185
230
270
mA
2.7
2.5
2.2
2.1
2.0
1.8
1.7
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
V
36.0
39.0
43.0
46.0
47.0
52.0
56.0
%/K
<+0.095
<+0.096
<+0.096
<+0.097
<+0.097
<+0.097
<+0.098
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
1)
基于直流测量的热平衡;导线长度= 9.5毫米( 3/8“ ) ;散热器= 30K / W的热阻
额定值和特性曲线
功耗毫瓦
500
400
300
200
100
0
50
100
150
200
O
250
环境温度,C
图。 1功率降额曲线
Vz的(V)的
IZ (毫安)
50
40
30
20
10
0
5
10
15
20
25
30
测试电流
IZ = 20mA下
24
20
15
12
11
9.1
6.8
6.2
5.6
5.1
4.7
4.3
3.9
2.7
图2击穿特性
2010.08
遗嘱电子股份有限公司。