欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2N7002DW1T1 参数 Datasheet PDF下载

2N7002DW1T1图片预览
型号: 2N7002DW1T1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 115毫安, 60伏 [115 mAmps,60 Volts]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 314 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号2N7002DW1T1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7002DW1T1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7002DW1T1的Datasheet PDF文件第4页  
威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
产品的材料是无卤素和
我们声明
低功耗,高效率。
符合RoHS要求。
高电流能力,低正向电压降。
ESD保护: 1000V
高浪涌能力。
无铅封装可用
Guardring过电压保护。
超高速开关。
包装代号后缀“G”
符合RoHS的产品
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无卤素产品包装
无铅零件符合环保标准
代码后缀“H”的
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品
评级
后缀"G"
最大
包装CODE
无卤素产品的包装代号后缀"H"
等级
符号
价值
单位
机械数据
漏源电压
V
DSS
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
毫瓦)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 1.0
V
DGR
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
漏电流
I
D
60
60
±
115
±
75
±
800
VDC
VDC
0.031 ( 0.8 )典型值。
MADC
小信号MOSFET 115毫安, 60伏
特点
FM120-M
THRU
2N7002DW1T1
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
N沟道SOT- 363
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
3
D
2
2
G
1
0.040(1.0)
0.024(0.6)
1
1
0.031 ( 0.8 )典型值。
S
- 连续
2026
25 ° C(注1 )
T
C
=
- 连续
T = 100 ° C(注1 )
极性:用表示
C
阴极带
- 脉冲(注2)
安装位置:任意
栅源电压
重量
近似​​0.011克
:
连续
- 不重复(T
p
50
女士)
I
DM
I
D
尺寸以英寸(毫米)
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
VDC
VPK
最大额定值和电气特性
S
2
G
2
D
1
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
4
5
6
热特性
评级
特征
器件总功耗
每个器件
最大RMS电压
董事会(注1 )
FR−5
T
A
=
电压
最大直流阻断
25°C
减免上述25℃
 
标识代码
最大的经常峰值反向电压
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
符号
符号
FM120-M
最大
单位
12
13
14
15
16
18
10
115
120
P
D
380
mW
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
RRM
250
订购信息
140
14
21
28
35
42
56
70
105
V
RMS
V
DC
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流
到环境
正弦半波
连接点
8.3 ms单
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
热阻,
R
qJA
I
O
 
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
20
3.0
30
40
毫瓦/°C的
50
328
-55到+150
° C / W
°C
80
设备
1.0
 
2N7002DW1T1
30
40
120
60
100
记号
150
200
航运
安培
702
3000磁带&卷轴
安培
℃/W
PF
 
典型热阻(注2 )
温度范围
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
结存储
T
J
, T
英镑
 
 
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
 
-55到+125
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
毫安
I
R
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
 
 
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。