威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
SOT- 523塑封装的MOSFET
特点
FM120-M
THRU
2N7002T
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
SOT-523
0.130(3.3)
MOSFET（ N通道）
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
特点
•
低功耗，高效率。
高
能力，低正向电压
R
DS （ ON）
•
HIGH CURRENT
密度电池设计低
下降。
电压控制的小信号开关
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
坚固可靠
•
超高速开关。
外延平面芯片，金属硅交界处。
•
硅
高饱和电流能力
•
无铅零件符合环保标准
无铅封装可用
•
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品
后缀"G"
符合RoHS的产品包装代码
包装CODE
无卤素产品的包装代号后缀"H"
更好的反向漏电流和耐热性。
0.012 （ 0.3 ）典型值。
3
1.门
2.源
3.排水
1
2
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
后缀“ G”
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
符号
参数
方法2026
价值
60
115
单位
V
R
θJA
从结点到环境的热阻833
℃/W
最大额定值和电气特性
Pr
el
V
RRM
V
RMS
20
14
30
21
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
标识代码
12
13
14
15
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
评级
im
℃
40
结温
T
在收视率
J
25 ℃环境温度，除非另有规定。
150
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
储存温度
-55~+150
T
英镑
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
INA
mA
150
mW
℃
TEST
条件
28
50
16
60
42
60
35
漏源电压
•
V
DS
极性：由阴极频带指示
•
I
安装位置：
当前
漏
任何
D
•
P
D
重量：的逼近0.011克
功耗
ry
民
18
80
56
50
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
最大额定值（T
a
=25
℃
除非另有说明）
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
打标： K72
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
参数
符号
典型值
10
100
70
100
最大
115
150
105
150
单位
V
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
漏源击穿
最大直流阻断电压
电压
V
（ BR ） DSS
20
GS
=0
30
I
D
=250
µA
V
V,
40
V
DC
I
O
V
日（ GS ）
60
80
1.0
1
30
40
500
120
最大正向平均整流电流
栅极阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
=250
µA
V
DS
=0 V, V
GS
=±25 V
V
DS
=60 V, V
GS
=0 V
PEAK
门体漏
毫秒单一正弦半波
正向浪涌电流8.3
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
l
GSS
I
FSM
±80
nA
nA
mA
安培
℃/W
PF
℃
℃
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
零栅极电压漏极电流
导通状态
电容（注
典型结
漏电流
1)
漏源导通电阻
存储温度范围
R
θJA
T
J
I
DSS
80
I
J
C
D（上）
V
GS
=10
V, V
DS
=7 V
V
GS
-55到+125
= 10 V，I
D
=500mA
V
GS
= 5 V，I
D
=50mA
0.50
0.70
-55到+150
-
65
到+175
R
DS （ ON）
TSTG
7
7
Ω
特征
正向跨导
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
漏源电压
额定阻断电压DC
FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
500
ms
g
fs
V
DS
FM130 - MH FM140 -MH
符号
FM120-MH
= 10 V，I
D
=200mA
FM150 ， FM160 MH -MH
80
V
F
@T A = 125 ℃
V
DS （ ON）
I
R
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
GS
= 5V ，我
D
=50mA
I
S
= 115毫安，V
GS
=0 V
0.85
0.5
10
3.75
0.9
0.92
V
伏
毫安
0.375
1.2
50
V
V
注意事项：
二极管的正向电压
0.55
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
输入电容
2-热阻结点到环境
输出电容
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
25
5
pF
反向传输电容
开关时间
开启时间
打开-O FF
2012-06
时间
t
D（上）
t
D（关闭）
V
DD
= 25 V ，R
L
=50Ω
I
D
=500mA,V
根
=10 V
R
G
=25
Ω
20
40
ns
威伦电子股份有限公司。
2012-0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
