2N7002LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002LT1
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内容描述：	小信号MOSFET 115毫安， 60伏N沟道SOT- 23 [Small Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–23]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 261 K
品牌：	WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]

威伦

小信号MOSFET

115毫安， 60伏

N沟道SOT- 23

•

●

2N7002LT1

符合RoHS的产品包装代号后缀"G"

无卤素产品的包装代号后缀"H"

重量： 0.008克

最大额定值

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 1.0 MΩ)

漏电流

- 连续T

= 25 ° C（注1 ）

- 连续

= 100 ° C（注1 ）

- 脉冲（注2 ）

栅源电压

- 连续

- 不重复（ TP

≤

µs)

符号

DSS

DGR

价值

±115

±75

±800

单位

MADC

SOT- 23 （ TO- 236AB ）

115毫安

60伏特

DS （ ON）

= 7.5

N - 通道

GSM

±20

±40

VDC

VPK

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注3 ）T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

器件总功耗

氧化铝基板，（注4 ） TA = 25°C

减免上述25℃

热阻，结到环境

结温和存储温度

符号

最大

225

1.8

556

300

2.4

θJA

英镑

417

-55〜

+150

° C / W

°C

单位

毫瓦/°C的

θJA

° C / W

毫瓦/°C的

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

702

1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极

电流。

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

µs,

占空比

≤

2.0%.

3， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸

4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 ％的氧化铝。

门

702

来源

=器件代码

=工作周

订购信息

设备

2N7002LT1

记号

702

航运

3000磁带&卷轴

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