FM120-M
2SA1037AKxLT1
THRU
一般
装载肖特基整流器-20V- 200V
用晶体管
FM1200-M
1.0A表面
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
•
低调的表面安装，以便应用程序
SOD-123H
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
更好的反
PNP硅
漏电流和耐热性。
OPTIMIZE
Featrues
电路板空间。
•
低功耗，高效率。
We
电流能力，低
产品合规
•
高
申报材料
正向电压降。
RoHS要求。
无铅封装
•
高浪涌能力。
可用的
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
Guardring过电压保护。
•
超高速开关。
包装代号后缀为“H”
无卤素产品
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
订购信息
•
无铅零件符合环保标准
设备
包
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
航运
SOT- 23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3
无卤产品
3000 /磁带&卷轴
SOT-23
2SA1037AKXLT1
包装代号后缀"H"
最大额定值
机械数据
集热器
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
符号
价值
单位
：模压
•
例
等级
塑料， SOD- 123H
,
–50
V
V
首席执行官
•
集电极 - 发射极电压
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
集电极 - 基极电压
V
CBO
•
发射极 - 基极电压
由阴极
V
极性：指示
BAND
EBO
•
安装位置：任意
连续集电极电流 -
I
C
•
重量：的逼近0.011克
集电极耗散功率
P
C
–60
–6.0
–150
0.2
V
V
MADC
W
1
BASE
尺寸以英寸（毫米）
2
辐射源
最大
结温
评级
T
j
和电气特性
150
°C
在25 ℃评分
温度
-55 ~+150
存储
环境温度，除非
英镑
T
另有规定ED 。
°C
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
设备
负载，减免
对于电容
记号
20％的电流
2SA1037AKQLT1 = FQ
评级
标识代码
2SA1037AKSLT1 = G3F
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
2SA1037AKRLT1 = FR
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
14
20
30
12
20
13
30
符号
21
14
40
民
28
40
– 50
15
50
典型值
35
50
—
16
60
42
最大
60
—
1.0
—
30
18
80
单位
56
80
V
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
Vo
Vo
最大
集电极 - 发射极击穿电压
阻断电压DC
最大
(I
C
= -1毫安）
正向平均整流电流
V
V
V
（ BR ） CEO
Vo
A
发射极 - 基极击穿电压
山顶前进
= – 50
电流8.3ms单一正弦半波
(I
E
浪涌
µA)
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
集电极 - 基极击穿电压
（ BR ） EBO
–6
– 60
—
—
—
—
—
0.70
V
V
A
典型的热
– 50
µA)
(I
C
=
电阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
收藏家Cuto FF电流
操作
(V
CB
= – 60 V)
温度范围
存储温度范围
发射Cuto FF电流
（ BR ） CBO
I
CBO
—
-55到+125
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
ob
—
—
—
40
120
– 0.1
µA
-55到+150
℃
P
℃
-
65
到+175
– 0.1
µA
℃
(V
EB
= – 6 V)
特征
集电极 - 发射极饱和电压
最大
(I
C
/ I
B
= ± 50毫安
at
– 5m
DC
正向电压
/
1.0A
A)
最大
直流电流传输比
在@T A = 25 ℃
平均反向电流
额定直流
(V
CE
= –
电压
= -1mA ）
闭塞
6 V，I
C
@T A = 125 ℃
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
V
F
I
R
0.50
-0.5
0.5
560
10
V
0.85
0.9
0.92
V
120
—
—
––
140
4.0
––
兆赫
pF
mA
跃迁频率
(V
CE
= - 12 V，I
E
= 2毫安， F = 30MHz的）
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
输出电容
注意事项：
2-热阻结点到环境
––
5.0
(V
CB
= - 12 V，I
E
= 0A ， F = 1MHz的）
h
FE
值被分类如下：
的hFE
*
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
