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2SB1132 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1132
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内容描述: SOT- 89塑封装晶体管 [SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 546 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
晶体管( PNP )
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好
特点
反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低V
CE ( SAT )
低功耗,高效率。
无铅封装
低正向压降。
高电流能力,
可用的
高浪涌能力。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
Guardring过电压保护。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
最大额定值
(T
a
=25
除非另有说明)
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
符号
参数
价值
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
THRU
2SB1132
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOT-89
1.
BASE
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
2.
集热器
3.
辐射源
1
2
3
0.071(1.8)
0.056(1.4)
单位
V
V
V
,
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
V
CBO
机械数据
集电极 - 基极电压
-40
-32
-5
-2
500
150
-55~150
V
首席执行官
环氧树脂: UL94 -V0评分
电压
集电极 - 发射极
阻燃
发射极 - 基极电压
V
EBO
案例:模压塑料, SOD- 123H
I
C
I
CP
*
P
C
T
J
T
英镑
脉冲
集电极电流
方法2026
0.031 ( 0.8 )典型值。
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
A
连续
集电极电流
-1
极性:由阴极频带指示
集电极耗散功率
安装位置:任意
结温
重量:的逼近0.011克
储存温度
,
A
mW
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
 
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
评级
标识代码
参数
最大的经常峰值反向电压
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UNI
符号
V
RRM
V
DC
I
O
集电极 - 基极击穿电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
 
12
13
14
测试条件
20
30
40
15
50
35
50
16
60
42
60
18
80
80
典型值
10
100
70
100
120
最大
115
单位
150
105
150
200
200
伏特
V
V
RMS
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
R
CBO
θJA
 
I
FSM
I
14
C
=-50μA,I
E
=0
21
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-50μA,I
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
 
20
30
28
40
-40
56
1.0
 
-5
30
40
120
V
140
V
V
伏特
最大正向平均整流电流
集电极 - 发射极击穿电压
伏特
-32
AMP
发射极 - 基极击穿电压
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
AMP
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
I
 
-0.5
μA
μA
I
EBO
T
J
TSTG
C
J
 
V
EB
=-4V,I
to
=0
-55
C
+125
V
CE
=-3V,I
C
=-100mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
0.50
0.70
 
82
℃/W
 
-
65
到+175
-55到+150
-0.5
PF
 
h
FE
390
0.85
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
 
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
@T A = 125 ℃
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UNI
V
CE ( SAT )
V
F
I
f
T
R
-0.2
150
20
-0.5
0.9
V
0.92
 
伏特
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
CE
=-5V,I
C
=-50mA,f=30MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
0.5
10
兆赫
30
pF
MAM
集热器
注意事项:
输出电容
C
ob
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
 
分类h及
FE
 
2-热阻结点到环境
P
82-180
BAP
Q
120-270
BAQ
R
180-390
BAR
范围
记号
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-
0
威伦电子股份有限公司。