SOT- 89塑封装晶体管
特点
晶体管（ PNP ）
威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
2SB1308
THRU
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOT-89
SOD-123H
更好
特点
反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
功率晶体管
优化电路板空间。
•
低功耗，高
收益
出色的直流电流
EF网络效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
低集电极 - 发射极饱和电压
•
高浪涌能力。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
1.基地
2.收集
3.辐射源
0.012 （ 0.3 ）典型值。
•
Guardring过电压保护。
无铅封装可用
•
超高速开关。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
•
无铅零件符合环保标准
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.071(1.8)
0.056(1.4)
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
机械数据
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
符号
参数
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
V
CBO
集电极 - 基极电压
方法2026
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
极性：由阴极频带指示
•
发射极 - 基极电压
V
EBO
安装位置：任意
•
集电极电流
I
C
•
重量：的逼近0.011克
P
C
R
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
0.040(1.0)
0.024(0.6)
价值
-30
-20
-6
-3
500
0.031 （ 0.8 ）典型值。
单位
V
0.031 （ 0.8 ）典型值。
V
尺寸以英寸（毫米）
V
A
mW
℃
℃
15
50
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大额定值和电气特性
250
150
-55~+150
13
30
14
40
40
θJA
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
结温
T
j
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
储存温度
T
英镑
℃/W
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
14
21
28
35
最大RMS电压
V
RMS
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
DC
I
O
12
20
V
V
参数
符号
V
（ BR ） CBO
V
I
FSM
（ BR ） CEO
20
测试条件
30
民
-30
-20
-6
典型值
最大
单位
V
V
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
集电极 - 基极击穿电压
A
I
C
=-50µA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
集电极 - 发射极击穿电压
A
发射极 - 基极击穿电压
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
集电极截止电流
工作温度范围
存储温度范围
V
R
θJA
（ BR ） EBO
C
J
I
CBO
TSTG
I
E
=-50µA,I
C
=0
发射极截止电流
直流电流增益
I
EBO
h
FE
T
J
V
CB
=-20V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
-55到+125
40
120
V
µA
µA
-
65
到+175
-0.5
-0.5
390
0.85
℃
-55到+150
V
CE
= -2V ，我
C
=-0.5A
0.50
82
0.70
0.5
10
最大正向电压在1.0A DC
特征
集电极 - 发射极饱和电压
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
I
C
=-1.5A,I
B
=-0.15A
-0.45
V
V
CE （ SAT ）
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
集电极输出电容
跃迁频率
V
F
I
R
C
ob
f
T
V
CB
=-20V,I
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
=-6V,I
C
=-50mA,
f=30MHz
60
pF
0.9
0.92
V
@T A = 125 ℃
m
120
兆赫
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
分类h及
FE
秩
范围
记号
P
82–180
BFP
Q
120–270
BFQ
R
180–390
BFR
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
