SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
FM120-M
2SB1440
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
SOD-123H
更好的反向漏电流和耐热性。
晶体管（ PNP ）
•
低调的表面安装，以便应用程序
特点
优化电路板空间。
•
低功耗，高
饱和
低集电极 - 发射极
EF网络效率。
电压V
CE （ SAT ）
•
高电流能力，低正向电压
对于低频输出放大
下降。
•
高浪涌能力。
无铅封装可用
•
Guardring过电压保护。
•
超高速
填料
符合RoHS的产品
切换。
代号后缀“G”
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无卤产品
环境的
代码后缀“H”的
•
无铅零件符合
包装
标准
MIL-STD-19500
(T
a
= 25℃除非另有
最大额定值
/228
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
SOT-89
0.146(3.7)
0.130(3.3)
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
1
2
3
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
说明）
单位
V
V
V
A
mW
℃
帕拉符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
机械数据
计
价值
-50
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
集电极 - 发射极电压
-50
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
发射极 - 基
终端，
-5
•
端子：镀
电压
每MIL -STD- 750可焊性
方法2026
集电极电流 - 连续
集电极 - 基极电压
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
-2
500
150
-55~150
℃
最大额定值和电气特性
电动
环境温度，除非另有规定。
另有规定）
特性（T
a
= 25 ℃ ，除非
在25 ℃评分
储存温度
•
极性：由阴极频带指示
集电极耗散功率
•
安装位置：任意
结温
•
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
参数
符号
对于容性负载，减免电流20 ％
标识代码
测试条件
I
C
= -10μA ，我
E
=0
12
20
14
13
30
21
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
民
-50
-50
18
80
56
典型值
10
100
70
100
最大
115
150
105
150
单位
V
120
200
140
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
电压
评级
V
（ BR ） CBO
V
RMS
I
O
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
发射极 - 基极击穿
V
RRM
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= -1mA ，我
B
V
DC
V
（ BR ） EBO
20
30
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
VOL
VOL
-5
80
1.0
30
40
120
120
V
200
μA
μA
VOL
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
发射极截止电流
集电极截止电流
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
I
CBO
I
FSM
R
θJA
-1
Am
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
直流电流增益
存储温度范围
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
I
EBO
-1
340
Am
典型结电容（注1 ）
h
C
J
FE1
T
J
TSTG
h
FE2
V
CE
= -2V ，我
C
-200mA
=
-55到+125
℃/W
PF
-55到+150
℃
V
CE
= -2V ，我
C
-1A
=
-
65
到+175
60
℃
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
特征
集电极 - 发射极饱和电压
FM1200-MH
= -50mA
I
C
= -1A ，我
B
-0.3
V
CE （ SAT ）
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
V
符号
UN
基地 - 发射极饱和电压
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
注意事项：
= -50mA
I
C
= -1A ，我
B
V
BE （ SAT ）
I
R
V
F
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
VOL
-1..2
V
兆赫
跃迁频率
@T A = 125 ℃
MAM
f
T
ob
V
CE
= -10V ，我
C
50毫安，女为200MHz
= =
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
80
60
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
C
集电极输出电容
pF
分类h及
FE1
秩
范围
记号
2-热阻结点到环境
R
120-240
1L
S
170-340
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
