威伦
SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
2SB766A
THRU
FM1200-M
包
无铅全国生产
特点
包装外形
SOD-123H
晶体管（ PNP ）
表面贴装为了申请
•
低调
更好的反向漏电流和耐热性。
优化电路板空间。
•
低
特点
功率损耗，效率高。
•
高电流能力，低正向电压降。
大
高浪涌
功耗P
C
•
集热器
能力。
•
Guardring过电压保护。
无铅封装可用
•
RoHS指令
超高速开关。
产品包装代号后缀“G”
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无卤素产品的包装代号后缀
of
•
无铅零件符合环保标准
“H”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
收视率（T
a
= 25℃除非另有说明）
最大
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT-89
1.基地
0.071(1.8)
0.056(1.4)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
机械数据
参数
价值
单位
2.收集
1
2
3
ry
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
环氧树脂： UL94 -V0
电压
集电极 - 基
额定阻燃
-60
V
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
集电极 - 发射极电压
-50
V
,
•
端子：镀金端子，焊
-5
MIL-STD-750
每
发射极 - 基极电压
V
•
极性：由阴极频带指示
集电极电源
：任何
500
•
安装位置
耗散
结温
150
•
重量：的逼近0.011克
储存温度
集电极电流 - 连续
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3.辐射源
0.031 （ 0.8 ）典型值。
在收视率
特性（T
a
另有规定ED 。
电动
25 ℃环境温度下，除非
= 25 ℃除非另有规定）
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
参数
评级
im
12
13
= 0
30
Ic=-2mA,I
B
V
（ BR ） CEO
RRM
20
V
-55~150
℃
最大额定值和电气特性
INA
mW
℃
测试条件
14
40
28
40
15
50
35
50
FSM
V
CE
=-10V,I
C
I
= -500mA
-1
A
尺寸以英寸（毫米）
民
-60
16
-50
60
典型值
18
80
56
80
最大
10
100
70
100
-0.1
单位
V
V
150
V
105
150
μA
115
120
200
140
200
集电极 - 发射极击穿电压
最大的经常峰值反向电压
发射极 - 基
RMS电压
电压
最大
击穿
最大直流阻断电压
集电极截止电流
标识代码
Pr
el
集电极 - 基极击穿电压
=
V
（ BR ） CBO
Ic=-10μA,I
E
0
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
= 0
21
V
（ BR ） EBO
RMS
I
E
=-10μA,I
C
14
V
-5
42
60
1.0
85
30
20
= 0
30
I
CBO
V
DC
V
CB
=-20V,I
E
最大正向平均整流电流
= 0
I
EBO
I
O
V
EB
=-4V,I
C
发射极截止电流
-0.1
340
μA
直流电流增益
额定负荷（ JEDEC的方法）
叠加
典型热阻（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
h
FE(1)
= -1A
V
CE
=-5V,I
C
h
FE(2)
R
θJA
50
集电极 - 发射极饱和
（注1 ）
典型结电容
电压
基射极饱和电压
跃迁频率
存储温度范围
特征
集电极输出电容
最大正向电压在1.0A DC
工作温度范围
=
V
CE （ SAT ）
C
J
I
C
=-500mA,I
B
-50mA
f
T
TSTG
=
V
BE （ SAT ）
T
J
I
C
=-500mA,I
B
-50mA
-55到+125
40
120
-0.2
-0.4
-1.2
V
V
兆赫
V
CE
=-10V,I
C
-50mA ，女为200MHz
= =
0.50
0.70
-
65
到+175
-0.85
200
-55到+150
= 0 ，女为1MHz
V
CB
=-10V,I
=
20
30
pF
C
ob
符号
FM120-MH
E
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
I
R
0.85
0.9
0.92
分类h及
FE(1)
额定阻断电压DC
秩
注意事项：
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
0.5
10
Q
R
120-240
S
170-340
85-170
范围
从结点到环境的热阻
2-
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
制造
BQ
BR
BS
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
