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2SC1766 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC1766
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内容描述: SOT- 89塑封装晶体管 [SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 362 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号2SC1766的Datasheet PDF文件第2页  
SOT- 89塑封装晶体管
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
威伦
FM120-M
2SC1766
THRU
FM1200-M
无铅全国生产
特点
晶体管( NPN )
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好
特点
反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
无铅封装可用
优化电路板空间。
包装外形
SOT-89
SOD-123H
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
应用
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
功率放大器
符合RoHS的产品
损失,效率很高。
低功耗
包装代号后缀“G”
高电流能力,低正向电压降。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
高浪涌能力。
小扁包
Guardring过电压保护。
高速开关时间
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属
电压
集电极 - 发射极饱和
硅结。
无铅零件符合环保标准
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
1.基地
2.收集
3.辐射源
0.071(1.8)
0.056(1.4)
ry
价值
50
50
5
0.031 ( 0.8 )典型值。
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
符号
参数
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
集电极 - 基极电压
V
CBO
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
V
首席执行官
方法2026
集电极 - 发射极电压
机械数据
0.040(1.0)
0.024(0.6)
单位
V
V
0.031 ( 0.8 )典型值。
V
EBO
P
C
极性:由阴极频带指示
发射极 - 基极电压
安装位置:任意
集电极电流
I
C
重量:的逼近0.011克
集电极耗散功率
 
在25 ℃的环境评级
温度
连接点
温度,除非另有规定。
T
j
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
储存温度
T
英镑
对于容性负载,减免电流20 %
评级
im
R
θJA
最大额定值
结到环境
从热阻
和电气特性
250
℃/W
150
-55~+150
标识代码
12
13
15
特定网络版)
电气特性(T
a
= 25℃除非另有
14
最大的经常峰值反向电压
Pr
el
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
INA
V
2
A
500
mW
V
RRM
20
30
40
50
尺寸以英寸(毫米)
16
60
18
80
80
10
100
100
115
150
150
120
200
140
200
最大RMS电压
参数
集电极 - 基极击穿电压
 
最大直流阻断电压
V
RMS
符号
V
DC
V
( BR ) CBO
I
O
 
峰值正向浪涌电流8.3
电压
发射极 - 基极击穿
毫秒单一正弦半波
V
( BR ) EBO
I
FSM
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向平均整流电流
I
C
=100µA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100µA,I
C
=0
V
CB
=50V,I
E
 
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
 
14
21
28
测试条件
20
30
40
35
50
42
典型值
56
最大
70
单位
105
50
60
50
5
V
( BR ) CEO
I
CBO
1.0
 
30
40
120
V
V
V
 
发射极截止电流
(注1 )
典型结电容
直流电流增益
范围
储存温度
工作温度范围
典型热阻(注2 )
R
θJA
0.1
 
0.1
 
µA
µA
I
EBO
J
C
T
J
h
FE(1)
TSTG
h
FE(2)
*
-55
=0.5A
V
CE
= 2V ,我
C
+125
 
70
20
0.70
 
V
CE
= 2V ,我
C
=2A
0.50
I
C
=1A,I
B
=50mA
-
65
到+175
-55
240
+150
集电极 - 发射极饱和电压
特征
在正向电压最大
电压
基射极饱和
1.0A DC
最大平均反向
跃迁频率
目前在@T A = 25 ℃
额定阻断电压DC
@T A = 125 ℃
I
C
=1A,I
FM130-MH
0.5
V
符号
FM120-MH
B
=50mA
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
V
CE ( SAT )
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
V
BE ( SAT )
0.85
1.2
0.5
120
10
V
兆赫
0.9
0.92
 
f
T
I
R
V
CE
=2V,I
C
=0.5A,f=100MHz
 
分类h及
FE(1)
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
P
Q
120–270
Q1766
Y
180–390
Y1766
 
 
2-热阻结点到环境
范围
82–180
P1766
记号
*脉冲测试:脉冲宽度
≤300μs,
占空比cycle≤ 2.0%。
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR