FM120-M
2SC2411KxLT1
THRU
中功率晶体管
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
NPN硅
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
特征
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
外延平面型
•
高浪涌能力。
补充
过压
•
Guardring为
到2SA1036K
保护。
超高速开关。
•
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
硅
包可
•
无铅
外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件
•
符合RoHS的产品
符合环保标准
包装代号后缀“G”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装
包装CODE
•
无卤素产品
代号后缀"G"
后缀“H”的
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
SOT- 23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
设备标记和订购信息
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
•
2SC2411KRLT1
CR
•
安装位置：任意
•
重量：的逼近0.011克
记号
方法2026
2SC2411KQLT1
CQ
极性：由阴极频带指示
设备
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
0.031 （ 0.8 ）典型值。
3
集热器
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
1
BASE
尺寸以英寸（毫米）
2
辐射源
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
最大额定值
(T
A
= 25
°
C)
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
参数
符号
范围
单位
对于容性负载，减免电流20 ％
集电极 - 基极电压
V
CBO
40
V
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
评级
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
32
V
标识代码
发射极 - 基极电压
V
EBO
V
14
12
5
13
15
16
18
10
115
120
20
0.5
30
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
Vo
V
RRM
集电极电流
I
C
A*
40
集电极电源
最大RMS电压
耗散
结温
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
储存温度
P
C
V
RMS
V
T
j
DC
T
英镑
I
O
14
0.2
21
20
150
30
-55~+150
W
28
°C
40
°C
35
50
42
60
1.0
30
56
80
70
100
105
150
140
200
Vo
Vo
Am
I
FSM
电气特性（T
A
=25
°C
)
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
*P
C
不得超出。
Am
参数
典型热阻（注2 ）
典型
集电极 - 基极击穿
1)
结电容（注
电压
工作温度范围
集电极 - 发射极击穿电压
储存温度
击穿voltgae
发射极 - 基
范围
符号
θJA
分钟。
R
C
BV
CBO
J
T
BV
首席执行官
J
典型值
马克斯。
单位
V
V
40
32
-
-55
-
+125
-
to
-
条件
40
I
120
=100µA
C
-55到+150
℃/
P
TSTG
℃
BV
EBO
5
-
-
V
E
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
-
-
1
µA
V
CB
=20V
特征
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
发射Cuto FF电流
I
EBO
-
-
1
µA
V
EB
=4V
Vo
0.9
在正向电压最大
比
DC
0.92
0.85
直流电流传输
1.0A
h
FE
V
F
2
-
0.50
390
-
0.70
V
CE
=3V
,I
C
=100mA
0.5
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
V
Collcetor发射极饱和电压
-
-
0.4
V
I
C
/I
B
=500mA/50mA
CE （ SAT ）
I
R
mA
10
@T A = 125 ℃
f
额定DC阻断
频率
过渡
电压
-
250
-
兆赫
V
CE
=5V,I
E
=-20mA,f=100MHz
T
注意事项：
I
C
=1mA
-
65
到+175
I = 100μA
℃
输出电容
C
ob
-
6.0
-
pF
V
CB
=10V,I
E
=0A,f=1MHz
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
h
FE
值被分类如下：
项
h
FE
Q
R
120~270 180~390
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
