通用晶体管
1.0A表面贴装肖特基
NPN硅
•
我们声明该产品的材料
特点
无铅
工艺设计，出色的功耗报价
•
批量
包可
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
性。
更好的反向漏电流和热
•
低调的表面
包装代号后缀为“H”
无卤产品
安装才能申请
威伦
FM120-M
2SC2412KxLT1
THRU
FM1200-M
无铅产品
概要
SOD-123H
2SC2412KXLT1
0.146(3.7)
0.130(3.3)
势垒整流器-20V- 200V
SOD-123
包
包
符合RoHS要求。
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
订购信息
低正向压降。
•
高电流能力，
•
高浪涌能力。
记号
航运
Guardring过电压保护。
•
设备
•
超高速开关。
3000磁带&卷轴
BQ
2SC2412KQLT1
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
BR
3000磁带&卷轴
2SC2412KRLT1
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
2SC2412KSLT1
包装
G1F
后缀"G"
3000磁带&卷轴
CODE
•
符合RoHS的产品
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT- 23
机械
最大额定值
数据
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
等级
符号
价值
单位
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
•
端子：镀金端子，焊
50
MIL-STD-750
每
集电极 - 基极电压
2026
法
V
CBO
60
7.0
150
0.2
V
V
MADC
W
3
集热器
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性指示由阴极频带
发射极 - 基
:
电压
V
EBO
•
安装位置：任意
连续集电极电流 -
I
C
•
重量：的逼近0.011克
集电极耗散功率
P
C
结温
最大
尺寸以英寸（毫米）
1
BASE
2
辐射源
150
°C
T
j
额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
-55 ~+150
°C
储存温度
T
英镑
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
器件标识
对于容性负载，减免电流20 ％
2SC2412KQLT1=BQ
2SC2412KRLT1 = BR
2SC2412KSLT1 = G1F
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
评级
标识代码
12
13
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
20
30
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
最大RMS电压
特征
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
最大直流阻断电压
集电极 - 发射极击穿电压
最大正向平均整流电流
(I
C
= 1 mA）的
符号
14
21
V
20
（ BR ） CEO
30
V
V
（ BR ） EBO
民
14
40
28
50
40
7
60
15
50
典型值
35
—
50
16
60
最大
42
—
60
1.0
—
30
—
40
0.1
120
18
80
单位
56
V
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
V
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50
µA)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
集电极 - 基极击穿电压
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
A
—
—
—
—
V
V
µA
A
(I
热阻（注2 ）
典型
C
= 50
µA)
集热器
电容（注1 ）
典型结
截止目前
(V
CB
= 60 V)
工作温度范围
发射Cuto FF电流
存储温度范围
(V
EB
= 7 V)
集电极 - 发射极饱和电压
特征
(I
C
/
B
= 50
电压在1.0A DC
最大
I
前锋
毫安/ 5米A）
DC
在@T A = 25 ℃平均反向电流
最大
电流传输比
@T A = 125 ℃
评级
(V
CE
闭塞
I
电压
DC
= 6 V,
C
= 1毫安）
跃迁频率
注意事项：
CE
= 12 V，I
E
= - 2毫安， F = 30MHz的）
(V
2-热阻结点到环境
(V
CB
= 12 V，I
E
= 0A ， F = 1MHz的）
（ BR ） CBO
—
I
CBO
-55到+125
I
EBO
—
-55到+150
℃
-
65
0.1
到+175
µA
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
符号
FM120-MH
FM130-MH
—
—
0.4
V
V
CE （ SAT ）
V
F
I
R
h
FE
f
T
C
ob
0.50
120
––
180
2.0
0.70
560
0.5
10
0.85
0.9
0.92
V
––
兆赫
pF
m
—
—
––
3.5
1 ，在测
电容
产量
1兆赫和应用4.0伏的反向电压。
h
FE
值被分类如下：
的hFE
*
Q
120~270
R
180~390
S
270~560
2012-
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
