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型号: 2SD1898
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内容描述: SOT- 89塑封装晶体管 [SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 268 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOT- 89塑封装晶体管
晶体管( NPN )
特点
高击穿电压和电流
出色的直流电流增益线性度
2SD1898
SOT-89
1.基地
2.收集
3.辐射源
无铅封装可用
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
低集电极 - 发射极饱和电压
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
100
80
5
1
500
250
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
mW
℃/W
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
测试条件
I
C
=50µA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=50µA,I
C
=0
V
CB
=80V,I
E
=0
V
EB
=4V,I
C
=0
V
CE
= 3V ,我
C
=500mA
I
C
=500mA,I
B
=20mA
V
CE
=10V,I
C
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
100
20
82
100
80
5
1
1
390
0.4
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
分类
h
FE
范围
记号
P
82–180
Q
120–270
DF
R
180–390
2012-
0
威伦电子股份有限公司。