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2SD874 参数 Datasheet PDF下载

2SD874图片预览
型号: 2SD874
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内容描述: SOT- 89塑封装晶体管 [SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 336 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号2SD874的Datasheet PDF文件第2页  
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
晶体管( NPN )
出色的功耗报价
批量工艺设计,
更好的反向漏电流和耐热性。
特点
表面贴装为了申请
低调
优化电路板空间。
低集电极 - 发射极饱和电压
低功耗,高效率。
大集电极耗散功率
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
迷你型电源
Guardring过电压保护。
无铅封装可用
超高速开关。
符合RoHS的产品
芯片,金属硅交界处。
硅外延平面
包装代号后缀“G”
无铅零件符合环保标准
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
最大额定值(T = 25℃除非另有说明)
SOT- 89塑封装晶体管
特点
威伦
FM120-M
THRU
2SD874
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOT-89
SOD-123H
1.基地
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
2.收集
0.071(1.8)
0.056(1.4)
3.辐射源
机械数据
a
R
θJA
从结点到环境的热阻
结温
150
T
j
最大额定值和电气特性
 
最大RMS电压
最大的经常峰值反向电压
参数
Pr
el
标识代码
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140-MH
特定网络版)
评级
电气特性(T
a
= 25℃除非另有
FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
im
12
20
V
RRM
符号
V
RMS
V
DC
I
O
在收视率
T
25 ℃环境温度,除非另有规定。
储存温度
英镑
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
INA
500
250
mW
℃/W
-55~+150
14
20
极性:由阴极频带指示
集电极电流
I
C
安装位置:任意
集电极耗散功率
P
C
重量:的逼近0.011克
V
EBO
方法2026
发射极 - 基极电压
最大直流阻断电压
 
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
C
=10µA,I
E
=0
30
40
13
14
15
30
40
测试条件
50
21
28
35
50
ry
25
5
V
V
1
A
16
60
42
60
18
80
参数
环氧树脂:
符号
UL94 -V0额定阻燃
集电极 - 基极电压
V
CBO
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
价值
0.031 ( 0.8 )典型值。
单位
V
0.040(1.0)
0.024(0.6)
30
0.031 ( 0.8 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
30
1.0
5
 
30
56
80
10
115
120
典型值
100
最大
150
单位
200
70
105
140
100
150
安培
V
最大正向平均整流电流
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
=2mA,I
B
=0
25
V
V
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
I
FSM
I
CBO
I
E
=10µA,I
C
=0
V
CB
=20V,I
E
=0
 
安培
℃/W
PF
0.1
µA
µA
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
I
EBO
C
J
T
J
TSTG
V
EB
 
=4V,I
C
=0
-55到+125
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
V
CE
 
= 10V ,我
C
=500mA
V
CE
= 5V ,我
C
=1A
I
C
=500mA,I
B
=50mA
40
120
85
 
0.1
340
 
 
 
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
特征
-
65
到+175
50
-55到+150
0.4
0.85
200
V
0.9
兆赫
0.92
 
I
C
=500mA,I
B
=50mA
1.2
V
V
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
符号
BE ( SAT )
V
F
0.50
0.70
V
CE
=10V,I
C
= 50mA时F = 200MHz的
毫安
最大正向电压在1.0A DC
跃迁频率
额定阻断电压DC
 
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
集电极输出电容
@T A = 125 ℃
I
R
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
0.5
10
20
pF
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
分类
h
FE
(
1
)
范围
记号
 
 
Q
85–170
ZQ
R
120–240
ZR
S
170–340
ZS
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-
0
威伦电子股份有限公司。