1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好
MOSFET
N沟道
反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
OPTIMIZE
特点
电路板空间。
•
低功耗，高效率。
导通电阻
高
•
低
电流能力，低正向电压降。
高
开关速度
•
快
浪涌能力。
Guardring为
驱动器，使该器件非常适用于便携式设备
•
低电压
过电压保护。
•
超高速开关。
硅
设计驱动电路
•
容易
外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合
•
易并行
环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
无铅封装可用
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品包装
代号后缀
符合RoHS的产品包装
代号后缀"H"
”G”
机械
产品包装代号后缀为“H”
无卤
数据
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
标记： KN
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
MOSFET的最大额定值（T
a
=
每MIL -STD- 750
•
端子：镀金端子，焊
25 ° C除非另有说明）
SOT- 323塑封装
MOSFET的
特点
威伦
FM120-M
2SK3018WT1
THRU
FM1200-M
无铅产品
包装外形
SOD-123H
SOT-323
3
1
0.012 （ 0.3 ）典型值。
2
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.146(3.7)
0.130(3.3)
1.门
2.源
3.排水
0.040(1.0)
0.024(0.6)
等效电路
0.031 （ 0.8 ）典型值。
符号
法
参数
2026
价值
30
±20
0.1
单位
V
V
A
尺寸以英寸（毫米）
V
DS
•
极性：由阴极频带指示
漏源电压
V
GSS
I
D
P
D
•
安装位置：任意
栅源电压
•
重量：的逼近0.011克
连续漏电流
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
结温
T
J
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
储存温度
为
T
英镑
容性负载，减免电流20 ％
最大额定值和电气特性
功耗
0.2
W
150
-55-150
13
30
21
14
40
28
40
℃
℃
FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
R
θJA
标识代码
符号
FM120-M
评级
热阻
从
结到环境
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH
625
℃
/W
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
V
RRM
MOSFET电气特性（T
a
= 25℃除非另有说明）
V
RMS
I
O
14
35
42
12
20
15
50
50
16
60
18
80
56
10
100
70
115
150
105
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
参数
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
DC
TEST
20
条件
30
V
V
（ BR ）
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
= 10µA
I
DSS
I
FSM
V
DS
=30V,V
GS
= 0V
民
60
1.0
30
30
40
0.8
120
典型值
80
最大
100
单位
150
V
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
℃/W
PF
℃
℃
0.2
µA
nA
V
Ω
Ω
mS
0.9
0.92
栅 - 源漏电流
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
栅极阈值电压
工作温度范围
存储温度范围
漏源导通电阻
I
GSS
R
θJA
V
GS
=±20V, V
DS
= 0V
V
GS （ TH）
C
J
V
DS
= 3V ，我
D
=100µA
T
J
-55到+125
TSTG
R
DS （ ON）
±500
V
GS
= 4V ，我
D
=10mA
V
GS
=2.5V,I
D
=1mA
-55到+150
1.5
8
-
65
到+175
13
0.70
最大正向电压在1.0A DC
正向跨导
特征
g
FS
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
I
R
V
DS
= 3V ，我
D
= 10毫安
0.50
20
0.85
0.5
10
伏
毫安
动态特性*
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定直流
电容
输入
阻断电压
@T A = 125 ℃
国际空间站
C
13
9
4
pF
pF
pF
产量
注意事项：
电容
C
OSS
C
RSS
V
DS
=5V,V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
反向传输电容
开关特性*
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=5V, V
DD
=5V,
I
D
= 10毫安， RG = 10Ω ，R
L
=500Ω
15
35
80
80
ns
ns
ns
ns
2012-06
2012-0
*这些参数都无从查证。
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
