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8550XLT1 参数 Datasheet PDF下载

8550XLT1图片预览
型号: 8550XLT1
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 418 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
特征
高电流能力,低正向电压降。
高浪涌能力。
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
Guardring过电压保护。
无铅封装可用
超高速开关。
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
无卤产品
环保标准
无铅零件符合
包装代号后缀为“H”
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
设备标记和订购信息
无卤素产品的包装代号后缀"H"
航运
设备
机械数据
记号
通用晶体管
特点
威伦
FM120-M
8550xLT1
THRU
FM1200-M
无铅全国生产
包装外形
SOD-123H
PNP硅
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
8550PLT1
UL94 -V0额定阻燃
85P
环氧树脂:
8550QLT1
1YD
案例:模压塑料, SOD- 123H
3000/Tape&Reel
0.031 ( 0.8 )典型值。
SOT- 23
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3000/Tape&Reel
,
码头
8550RLT1
:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
1YF
3000/Tape&Reel
方法2026
0.031 ( 0.8 )典型值。
极性:由阴极频带指示
安装位置
最大额定值
:任何
重量
等级
:的逼近0.011克
集电极 - 发射极电压
尺寸以英寸(毫米)
符号
V
首席执行官
价值
25
单位
V
1
BASE
集热器
3
最大
特征
集电极 - 基极电压
额定值及电气
40
V
CBO
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
V
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
5
集电极电流continuoun
I
800
MADC
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
C
 
对于容性负载,减免电流20 %
热特性
特征
评级
器件总功耗FR- 5局
(1)
标识代码
T
A
= 25 °C
最大的经常峰值反向电压
2
符号
最大
单位
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
辐射源
P
D
减免上述25℃
最大RMS电压
热阻,结到环境
最大直流阻断电压
器件总功耗
最大正向平均整流电流
 
V
RRM
V
RMS
R
θJA
V
DC
P
D
I
O
 
I
FSM
R
θJA
12
20
225
14
1.8
20
13
30
556
300
2.4
417
21
毫瓦/°C的
28
° C / W
30
40
14
mW
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
氧化铝基板,
(2)
T
A
= 25 °C
减额
浪涌
25 °C
山顶前进
以上
电流8.3ms单一正弦半波
热阻,结到环境
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
结温和存储温度
典型热阻(注2 )
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
 
 
DEVICEMARKING
典型结电容(注1 )
T
θJA
英镑
R
J
, T
C
J
-55到+150
 
 
 
符号
典型值
0.70
 
-55到+150
-55到+125
T
J
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
存储温度范围
TSTG
8550QLT1 = 1YD
工作温度范围
8550PLT1 = 85P
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
集电极 - 发射极击穿电压
特征
OFFCHARACTERISTICS
最大
0.85
单位
0.9
0.92
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
V
F
I
R
最大
=
在@T A = 25 ℃平均反向电流
(I
C
1.0mA)
0.50
V
( BR ) CEO
25
5
40
0.5
10
150
150
V
V
V
nA
nA
@T
评级
发射极 - 基
电压
隔直
击穿电压
A=125℃
 
(I
E
= 100µA)
注意事项:
集电极 - 基极击穿电压
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
(I
C
= 100µA)
2-热阻结点到环境
V
( BR ) EBO
V
( BR ) CBO
I
CBO
 
 
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 35 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
=4V)
1, FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 %的氧化铝。
I
EBO
2012-
2012-06
威伦
威伦电子COR
电子公司