威伦
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
通用晶体管
特点
FM120-M
9013xLT1
THRU
FM1200-M
无铅产品
NPN硅
包装外形
SOD-123H
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
特征
更好的反向漏电流和耐热性。
我们声明该产品符合RoHS要求的材料。
低调的表面安装，以便应用程序
•
包可
无铅
优化电路板空间。
符合RoHS的产品
的功率损耗，
CODE
EF网络效率。
•
低
包装
高
后缀“ G”
卤素
•
免费的产品包装代号后缀为“H”
高电流能力，低正向电压降。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
•
高浪涌能力。
设备
•
标记和订购信息
Guardring过电压保护。
•
设备
超高速开关。
记号
航运
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
9013PLT1
13P
标准
•
无铅零件符合环保
3000/Tape&Reel
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
9013Q LT1
13Q
3000/Tape&Reel
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
9013RLT1
3000/Tape&Reel
无卤产品
13R
包装代号后缀"H"
SOT-23
0.071(1.8)
0.056(1.4)
ry
0.031 （ 0.8 ）典型值。
9013S
机械
LT1
最大额定值和电气特性
热CHARATEERISTICS
Pr
礼
评级
在25 ℃评分
特征
环境温度，除非另有规定。
符号
单相半波， 60赫兹，电阻
器件总功耗FR - 5局， （ 1 ）
感性负载。
P
D
为
o
容性负载，减免电流20 ％
T
A
=25 C
减免上述25
C
标识代码
o
mi
500
MADC
最大
单位
225
1.8
mW
R
θ
V
RRM
JA
P
D
V
RMS
V
DC
I
O
12
20
14
13
556
30
21
方法2026
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
•
极性：由阴极频带指示
集电极 - 基极电压
V
CBO
•
安装位置：任意
发射极 - 基极电压
V
EBO
•
重量：的逼近0.011克
集电极电流continuoun
I
C
20
40
5
na
V
V
V
毫瓦/ C
o
•
•
案例：模压
最大额定值
塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
符号
价值
单位
等级
3000/Tape&Reel
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
数据
13S
0.040(1.0)
0.024(0.6)
3
集热器
0.031 （ 0.8 ）典型值。
尺寸以英寸（毫米）
2
辐射源
1
BASE
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
o
热阻，
峰值反向电压
最大的经常
结到环境
器件总功耗
最大RMS电压
最大直流阻断电压
氧化铝基板， （2）T
A
=25
o
C
C
/
W
40
28
40
mW
14
15
50
35
50
16
60
60
18
80
56
10
100
70
115
150
105
150
120
200
140
Vo
42
1.0
30
40
120
Vo
20
300
30
80
100
200
Vo
最大平均
减免上述25
o
C
正向整流电流
2.4
毫瓦/
o
C
o
Am
热阻，
目前的8.3毫秒
环境
正弦波
结到
单半
峰值正向浪涌
结温和存储温度
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
TJ ， TSTG
R
θJA
R
θJA
I
FSM
417
-55到+150
C
/
W
o
C
Am
器件标识
（注2 ）
典型热阻
典型结电容（注1 ）
9013QLT1=13Q
9013RLT1=13R
工作温度范围
C
J
9013SLT1=13S
T
J
o
-55到+125
-55到+150
℃/
PF
-
65
到+175
℃
存储温度范围
TSTG
电气特性（T
A
= 25°C除非另有说明）
℃
开关特性
特征
特征
符号
V
F
民
0.50
典型值
0.70
最大
-
-
-
150
150
0.85
单位
V
V
V
nA
nA
0.9
0.92
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
集电极 - 发射极击穿电压
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
(I
C
=1.0mA)
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
注意事项：
=100µA)
集电极 - 基
1兆赫和应用4.0伏的反向电压。
1 ，在测
击穿电压
(I
C
2-热阻结点到环境
=100µA)
集电极截止电流（V
CB
=35V)
发射极截止电流（V
EB
=4V)
最大正向电压在1.0A DC
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
20
5
40
-
-
Vo
0.5
10
mA
-
-
-
2012-
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
