SOT-23
表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
塑料封装晶体管
1.0A
SOD-123
晶体管
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
(
PNP
)
更好的反向漏电流和耐热性。
特点
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低
高电压和高电流
正向电压降。
•
高浪涌能力。
优秀
Guardring过电压保护。
•
h
FE
线性
•
低niose
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅
•
无铅零件符合环保标准
包可
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品包装代码
后缀"H"
“H”
无卤素产品包装代码
苏FFI X
威伦
FM120-M
A1015
THRU
FM1200-M
包
无铅机生产线
特点
包装外形
SOT-23
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
1.基地
2.辐射源
3.收集
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
方法2026
INA
V
RRM
V
DC
12
20
13
30
30
14
40
40
15
50
35
50
20
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
集电极 - 基极电压
•
重量：的逼近0.011克
集电极 - 发射极电压
ry
-50
-50
-5
150
200
16
-55-125
60
42
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
标记： BA
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，
否则
MIL-STD-750
最大额定值（T
a
= 25 ℃ ，除非
每焊
说明）
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
价值
单位
尺寸以英寸（毫米）
V
V
V
mA
mW
18
80
56
80
10
℃
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
最大
电压
发射极 - 基
额定值和电气特性
结温
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大直流阻断电压
14
21
28
电动
RMS电压
最大
特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
V
RMS
Pr
el
符号
I
O
储存温度
im
在25 ℃评分
集热器
温度，除非另有规定。
环境
电流 - 连续
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
集热器
20％的电流
对于容性负载，减免
功耗
125
℃
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 -MH FM1200-
参数
最大正向平均整流电流
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
集电极 - 发射极击穿电压
测试条件
民
-50
-50
-5
60
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿
8.3ms单一正弦半波
峰值正向浪涌电流
电压
发射极 - 基极击穿电压
1)
典型结电容（注
工作温度
集电极截止电流
范围
典型热阻（注2 ）
V
（ BR ） CEO
I
FSM
I
C
= = 0
-100u A，I
E
I
C
= 0
= -0.1mA ，我
B
典型值
1.0
30
40
120
最大
单位
V
V
（ BR ） EBO
J
C
T
I
CBO
J
R
θJA
I
E
= = 0
-100 ü A，I
C
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
-55到+125
V
V
-0.1
uA
uA
uA
0.9
0.92
-55到+150
-
65
到+175
集电极截止电流
发射极截止电流
存储温度范围
I
首席执行官
TSTG
V= 0
CE
= -50V ，我
B
0.50
0.70
-0.1
0.85
特征
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
@T A = 125 ℃
符号
= 0
V
EB
= - 5V ，我
C
I
EBO
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
直流电流增益
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
集电极 - 发射极饱和电压
注意事项：
基射极饱和电压
h
FE
V
F
I
R
-0.1
V
CE
= -6V ，我
C
= -2mA
I
C
= -100毫安，我
B
= -10mA
I
C
= -100毫安，我
B
= -10mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -1mA
f=30MHz
130
0.5
10
400
V
V
兆赫
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
-0.3
-1.1
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
跃迁频率
80
分类h及
FE
秩
范围
L
H
200-400
130-200
2012-06
威伦电子COR
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
