SOT- 23塑封装二极管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
•
无铅封装可用
威伦
FM120-M
BAS16LT1
THRU
FM1200-M
包
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
•
低功耗，高效率。
HIGH CURRENT
产品包装
电压降。
•
无卤
能力，低正向
代码后缀“H”的
高浪涌能力。
•
湿度敏感度等级1
•
Guardring过电压保护。
设备标记和订购信息
•
超高速开关。
设备
记号
包
航运
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
SOT-23
3000/Tape&Reel
LEAD -FREE
环保标准
•
BAS16LT1
部分满足
A6
最大额定值
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀“G”
优化电路板空间。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
3
0.012 （ 0.3 ）典型值。
1
2
0.071(1.8)
0.056(1.4)
SOT–23
机械数据
连续反向电压
无卤素产品的包装代号后缀"H"
等级
符号
V
R
价值
75
单位
VDC
MADC
MADC
3
阴极
0.031 （ 0.8 ）典型值。
热特性
方法2026
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
最大正向电流
I
F
200
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
峰值正向浪涌电流
I
FM （浪涌）
500
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
•
极性：
特征
阴极带
用表示
MOUNTING
FR-耗散
•
设备总
位置：任意
第5局， （ 1 ）
A
= 25°C
•
T
重量：的逼近0.011克
符号
P
D
1
阳极
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
最大
225
单位
尺寸以英寸（毫米）
mW
氧化铝基板，（2）
电阻
单相半波，60赫兹，
T
A
= 25°C
感性负载。
减免上述25℃
2.4
毫瓦/°C的
对于容性负载，减免电流20 ％
热阻，结到环境
R
θJA
417
° C / W
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
评级
结温和存储温度
T
J
, T
英镑
-55到+150
°C
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
20
30
说明）
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
V
V
RRM
电气特性
（ T A = 25 ° C除非另有
最大RMS电压
特征
最大直流阻断电压
开关特性
减免上述25℃
热
最大额定值，电器
电阻，结到环境
R
θJA
P
D
评级
器件总功耗
在25 ℃的环境温度，除非另有规定。
1.8
毫瓦/°C的
556
° C / W
特征
300
mW
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
14
符号
21
20
30
28
民
40
35
50
最大
42
60
1.0
50
30
—
1.0
30
40
120
56
单位
80
70
100
105
150
140
200
V
V
最大
反向
前锋
泄漏
当前
平均
电压
纠正
当前
I
R
—
—
—
μAdc
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
(V
R
= 75VDC ）
VDC
-55到+150
mV
(V
R
= 75 VDC ，T
J
= 150°C)
(V
R
= 25伏直流，T
J
= 150°C)
典型热阻（注2 ）
反向击穿电压
典型结电容（注1 ）
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
A
(I
BR
= 100
μAdc ）
工作温度范围
正向电压
存储温度范围
V
（ BR ）
75
-55到+125
V
F
—
0.50
℃
-
65
到+175
715
(I
F
= 1.0 MADC ）
最大正向电压在1.0A DC
(I
F
= 10 MADC ）
特征
(I
F
= 50 MADC ）
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
(I
F
= 150 MADC ）
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
二极管电容
@T A = 125 ℃
额定阻断电压DC
(V
R
= 0中，f = 1.0 MHz）的
V
F
I
R
—
—
—
–-
—
—
—
855
1000
0.70
1250
2.0
1.75
6.0
45
0.85
0.5
10
0.9
0.92
V
C
D
V
FR
t
rr
Q
S
pF
VDC
ns
pC
m
正向恢复电压
(I
F
1 MHz和
t
r
= 20ns的）
1 ，在测
= 10 MADC ，
的4.0伏直流施加反向电压。
2-热
反向恢复时间
到环境
性结
注意事项：
(I
F
= I
R
= 10 MADC ，R
L
= 50
Ω)
存储电荷
(I
F
= 10 MADC到V
R
= 5.0VDC ，R
L
= 500
Ω)
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
2012-06
威伦电子股份有限公司
2012-1
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
