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BAS16TW1T1 参数 Datasheet PDF下载

BAS16TW1T1图片预览
型号: BAS16TW1T1
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内容描述: SOT- 363塑封装二极管 [SOT-363 Plastic-Encapsulate Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 3 页 / 368 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
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威伦
SOT- 363塑封装二极管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
开关
二极管
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
特点
低功耗,高效率。
快速开关
能力,低正向电压降。
HIGH CURRENT
速度
一般
能力。
高浪涌
用开关应用
Guardring过电压保护。
高电导
超高速开关。
FM120-M
BAS16TW1T1
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
SOT-363
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.146(3.7)
0.130(3.3)
重量: 0.05克
平面芯片,金属硅交界处。
硅外延
无铅零件
包装代号后缀"G"
符合RoHS的产品
符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
卤素
产品包装代号后缀"G"
RoHS指令
免费的产品包装代号后缀"H"
湿气敏感度
包装代号后缀"H"
无卤产品
LEVEL 1
标记:
BAS16TW1T1 : KA2
·
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.031 ( 0.8 )典型值。
环氧树脂: UL94 -V0额定阻燃
案例:模压塑料, SOD- 123H
最大额定值@T
A
=25℃
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
参数
2026
符号
V
RM
V
RRM
V
RWM
范围
100
单位
尺寸以英寸(毫米)
V
极性:用表示
电压
非重复性峰值反向
阴极带
安装位置:任意
峰值重复峰值反向电压
PEAK
:的逼近0.011克
工作
重量
反向电压
75
V
V
R
隔直
最大额定值和电气特性
电压
在25 ℃的环境评级
V
R( RMS )
RMS反向电压
温度,除非另有规定。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
I
FM
对于容性负载,减免电流20 %
评级
53
300
150
V
mA
mA
 
正向连续电流
平均整流输出电流
峰值正向浪涌电流@ =是1.0μs
标识代码
最大的经常峰值反向电压
@=1.0s
最大RMS电压
功耗
最大直流阻断电压
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UN
I
O
V
RRM
I
FSM
12
20
14
20
13
30
21
30
2.0
14
40
1.0
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
 
30
40
120
18
80
56
80
10
A
100
70
mW
100
K / W
115
150
105
150
120
200
140
200
Vo
V
RMS
Pd
V
DC
R
I
O
T
j
 
T
I
FSM
英镑
θJA
28
200
VOL
热阻结到环境
 
结温
最大正向平均整流电流
625
VOL
150
-65~+150
Am
峰值正向浪涌电流
储存温度
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
 
Am
典型热阻(注2 )
电气额定值@T
A
=25℃
典型结电容(注1 )
工作温度范围
参数
存储温度范围
R
θJA
C
J
T
J
符号
 
 
 
分钟。
-55到+125
典型值。
75
0.50
0.855
 
-55到+150
条件
℃/
PF
马克斯。
单位
 
V
0.70
V
 
反向击穿电压
特征
最大正向电压在1.0A DC
V
( BR )R
V
V
F2
F
I
V
F3
R
TSTG
-
65
到+175
I
R
=10μA
0.85
I
F
=10mA
0.9
0.92
 
V
F1
0.715
V
I
F
FM1100-MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UN
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 -MH
=1mA
1.0
1.25
1
25
2
4
V
V
μA
nA
pF
ns
0.5
10
Vo
前锋
在@T A = 25 ℃平均反向电流
最大
电压
额定阻断电压DC
 
@T A = 125 ℃
I
F
=50mA
I
F
=150mA
V
R
=75V
V
R
=20V
V
R
=0V,f=1MHz
I
F
=I
R
=10mA
Irr=0.1XI
R
,R
L
=100Ω
mA
V
F4
注意事项:
2-热阻结点到环境
1测
当前
和应用4.0伏的反向电压。
反向
在1 MHz
I
R1
I
R2
C
T
t
rr
 
终端之间的电容
 
反向恢复时间
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-1
威伦电子股份有限公司。